高纯度硅的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN95197920.5

申请日：

1995-07-14

公开(公告)号：

CN1083396C

公开(公告)日：

1998-08-26

发明(设计)人：

新宫秀夫石原庆一藤原弘康大冢良达张进

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C01B33037

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

隗永良

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-04-24	授权	授权
1998-08-26	公开	公开
1998-10-07	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2005-09-14	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
2001-10-31	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前:昭和铝株式会社变更后:昭和电工株式会社登记生效日:20010804

共 50 条

[1]

高纯度硅的制造装置以及制造方法 [P].

伊藤信明 ;

冈泽健介 ;

德丸慎司 ;

冈岛正树 .

中国专利 :CN101321696B ,2008-12-10

[2]

高纯度硅的制造方法 [P].

三枝邦夫 ;

山林稔治 .

中国专利 :CN101208267A ,2008-06-25

[3]

高纯度硅的制造方法 [P].

大石直明 ;

桥本明 .

中国专利 :CN101497441B ,2009-08-05

[4]

高纯度硅的制造方法 [P].

林田智 .

中国专利 :CN101269814A ,2008-09-24

[5]

高纯度硅材料的制造方法 [P].

周宪忠 .

中国专利 :CN101857232A ,2010-10-13

[6]

用于制造高纯度硅的方法和装置 [P].

A·佩特里克 ;

C·施密德 ;

J·哈恩 .

中国专利 :CN102307810A ,2012-01-04

[7]

用于制造高纯度硅的系统及方法 [P].

凯文·艾伦·杜利 ;

埃尔伍德·A·莫里斯 .

中国专利 :CN111278770A ,2020-06-12

[8]

高纯度硅的生产方法 [P].

郑智雄 .

中国专利 :CN1221470C ,2004-06-09

[9]

制备高纯度硅的方法 [P].

T·F·麦努蒂 ;

J·T·勒曼 ;

V·L·劳 ;

F·D·门迪西诺 ;

R·舒巴 ;

M·P·德"伊维恩 ;

L·N·刘易斯 ;

J·海里奇范多格伦 .

中国专利 :CN101848862A ,2010-09-29

[10]

高纯度硅颗粒材料及制造方法 [P].

马克·洛博达 ;

詹姆斯·J·米勒 ;

威廉·特拉戈·萨维奇 .

美国专利 :CN120190019A ,2025-06-24

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