高纯度硅的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910127017.2

申请日：

2009-03-10

公开(公告)号：

CN101497441B

公开(公告)日：

2009-08-05

发明(设计)人：

大石直明桥本明

申请人：

申请人地址：

100089 北京市海淀区长春桥路5号新起点嘉园4栋1701室

IPC主分类号：

C01B33027

IPC分类号：

代理机构：

北京凯特来知识产权代理有限公司 11260

代理人：

郑立明

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 33/027 申请日:20090310 授权公告日:20111005 终止日期:20190310
2009-08-05	公开	公开
2012-02-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101284929223 IPC(主分类):C01B 33/027 专利号:ZL2009101270172 变更事项:专利权人变更前权利人:北京中晶华业科技有限公司变更后权利人:北京中晶华业科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:100089 北京市海淀区长春桥路5号新起点嘉园4栋1701室变更后权利人:100089 北京市海淀区长春桥路5号新起点嘉园4栋1701室变更事项:共同专利权人变更前权利人:李润源;大石直明变更后权利人:大石直明登记生效日:20120106
2012-02-15	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101284929224 IPC(主分类):C01B 33/027 专利申请号:2009101270172 变更事项:发明人变更前:大石直明;桥本明变更后:大石直明;桥本明;李润源
2011-10-05	授权	授权
2009-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

高纯度硅的制造方法 [P].

林田智 .

中国专利 :CN101269814A ,2008-09-24

[2]

高纯度硅的制造方法 [P].

三枝邦夫 ;

山林稔治 .

中国专利 :CN101208267A ,2008-06-25

[3]

高纯度硅的制造方法 [P].

新宫秀夫 ;

石原庆一 ;

藤原弘康 ;

大冢良达 ;

张进 .

中国专利 :CN1083396C ,1998-08-26

[4]

用锌还原法制造高纯度晶体硅的方法 [P].

潘凯 .

中国专利 :CN102774838A ,2012-11-14

[5]

高纯度硅材料的制造方法 [P].

周宪忠 .

中国专利 :CN101857232A ,2010-10-13

[6]

高纯度硅的制造装置以及制造方法 [P].

伊藤信明 ;

冈泽健介 ;

德丸慎司 ;

冈岛正树 .

中国专利 :CN101321696B ,2008-12-10

[7]

用于制造高纯度硅的方法和装置 [P].

A·佩特里克 ;

C·施密德 ;

J·哈恩 .

中国专利 :CN102307810A ,2012-01-04

[8]

用于制造高纯度硅的系统及方法 [P].

凯文·艾伦·杜利 ;

埃尔伍德·A·莫里斯 .

中国专利 :CN111278770A ,2020-06-12

[9]

高纯度硅的生产方法 [P].

郑智雄 .

中国专利 :CN1221470C ,2004-06-09

[10]

制备高纯度硅的方法 [P].

T·F·麦努蒂 ;

J·T·勒曼 ;

V·L·劳 ;

F·D·门迪西诺 ;

R·舒巴 ;

M·P·德"伊维恩 ;

L·N·刘易斯 ;

J·海里奇范多格伦 .

中国专利 :CN101848862A ,2010-09-29

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