高纯度硅的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810085082.9

申请日：

2008-03-17

公开(公告)号：

CN101269814A

公开(公告)日：

2008-09-24

发明(设计)人：

林田智

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市北区中之岛三丁目6番32号

IPC主分类号：

C01B33039

IPC分类号：

代理机构：

北京中原华和知识产权代理有限责任公司

代理人：

寿宁;张华辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-03-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-09-24	公开	公开
2011-12-07	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101229705155 IPC(主分类):C01B 33/039 专利申请号:2008100850829 变更事项:申请人变更前权利人:智索株式会社变更后权利人:JNC株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府大阪市北区中之岛三丁目3番23号变更后权利人:日本东京都千代田区大手町二丁目2番1号登记生效日:20111027
2011-10-26	授权	授权
2017-05-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101717237049 IPC(主分类):C01B 33/039 专利号:ZL2008100850829 申请日:20080317 授权公告日:20111026 终止日期:20160317

共 50 条

[1]

高纯度硅的制造方法 [P].

大石直明 ;

桥本明 .

中国专利 :CN101497441B ,2009-08-05

[2]

用锌还原法制造高纯度晶体硅的方法 [P].

潘凯 .

中国专利 :CN102774838A ,2012-11-14

[3]

高纯度硅材料的制造方法 [P].

周宪忠 .

中国专利 :CN101857232A ,2010-10-13

[4]

高纯度硅的制造方法 [P].

三枝邦夫 ;

山林稔治 .

中国专利 :CN101208267A ,2008-06-25

[5]

高纯度硅的制造方法 [P].

新宫秀夫 ;

石原庆一 ;

藤原弘康 ;

大冢良达 ;

张进 .

中国专利 :CN1083396C ,1998-08-26

[6]

高纯度硅的制造装置以及制造方法 [P].

伊藤信明 ;

冈泽健介 ;

德丸慎司 ;

冈岛正树 .

中国专利 :CN101321696B ,2008-12-10

[7]

高纯度硅的生产方法 [P].

郑智雄 .

中国专利 :CN1221470C ,2004-06-09

[8]

高纯度盐酸的制造方法 [P].

望月直人 ;

田中隆马 ;

斋藤聪洋 .

日本专利 :CN119317593A ,2025-01-14

[9]

用于制造高纯度硅的方法和装置 [P].

A·佩特里克 ;

C·施密德 ;

J·哈恩 .

中国专利 :CN102307810A ,2012-01-04

[10]

用于制造高纯度硅的系统及方法 [P].

凯文·艾伦·杜利 ;

埃尔伍德·A·莫里斯 .

中国专利 :CN111278770A ,2020-06-12

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