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氧化铝层的沉积
被引:0
申请号
:
CN202210047507.7
申请日
:
2017-11-14
公开(公告)号
:
CN114582709A
公开(公告)日
:
2022-06-03
发明(设计)人
:
梅里哈·歌德·兰维尔
纳格拉杰·尚卡尔
卡普·斯里什·雷迪
丹尼斯·M·豪斯曼
申请人
:
申请人地址
:
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
:
H01L2102
IPC分类号
:
H01L213205
H01L213213
H01L21768
代理机构
:
上海胜康律师事务所 31263
代理人
:
樊英如;张静
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-06-21
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20171114
2022-06-03
公开
公开
共 50 条
[1]
氧化铝蚀刻停止层的沉积
[P].
梅里哈·哥德·兰维尔
论文数:
0
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梅里哈·哥德·兰维尔
;
纳格拉杰·尚卡尔
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纳格拉杰·尚卡尔
;
卡普·斯里什·雷迪
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卡普·斯里什·雷迪
;
丹尼斯·M·豪斯曼
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丹尼斯·M·豪斯曼
.
中国专利
:CN108133880A
,2018-06-08
[2]
提高氧化铝原子层沉积速率的方法
[P].
杨淋淋
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
杨淋淋
;
邢中豪
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
邢中豪
;
冯秦旭
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
冯秦旭
;
林建树
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
林建树
;
梁金娥
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
梁金娥
;
李宗旭
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
李宗旭
;
张守龙
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
张守龙
.
中国专利
:CN118116791A
,2024-05-31
[3]
氧化铝沉积设备及供气方法
[P].
赵环
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赵环
;
白进谦
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白进谦
;
王朝辉
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王朝辉
.
中国专利
:CN112144043B
,2020-12-29
[4]
一种用原子层沉积技术生长氧化铝的工艺
[P].
刘佳晶
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刘佳晶
;
陈艳明
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陈艳明
;
叶武阳
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叶武阳
;
温丽娜
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温丽娜
.
中国专利
:CN110760818A
,2020-02-07
[5]
一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法
[P].
赵颖
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赵颖
;
厉文斌
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厉文斌
;
任勇
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任勇
;
何悦
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何悦
.
中国专利
:CN112838143A
,2021-05-25
[6]
沉积氧化铝涂层的方法
[P].
M·P·小雷明顿
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M·P·小雷明顿
;
D·A·斯特里克勒
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D·A·斯特里克勒
;
S·瓦拉纳斯
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S·瓦拉纳斯
;
L·叶
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L·叶
.
中国专利
:CN101014547A
,2007-08-08
[7]
沉积氧化铝涂层的方法
[P].
马乔里·克里斯蒂娜·卡瓦罗克
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机构:
赛峰集团
赛峰集团
马乔里·克里斯蒂娜·卡瓦罗克
;
埃尔万·佩格尼
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赛峰集团
赛峰集团
埃尔万·佩格尼
;
西里尔·艾莫尼尔
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赛峰集团
赛峰集团
西里尔·艾莫尼尔
;
纪尧姆·奥伯特
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赛峰集团
赛峰集团
纪尧姆·奥伯特
;
安热莉克·纳丁·珍妮·普隆
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机构:
赛峰集团
赛峰集团
安热莉克·纳丁·珍妮·普隆
.
法国专利
:CN119948205A
,2025-05-06
[8]
一种原子层沉积超薄氧化铝薄膜的装置及方法
[P].
陈强
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陈强
;
桑利军
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桑利军
;
李兴存
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李兴存
.
中国专利
:CN101921994B
,2010-12-22
[9]
一种低频PECVD沉积氧化铝的方法
[P].
赵增超
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赵增超
.
中国专利
:CN110699674A
,2020-01-17
[10]
织构化的氧化铝层
[P].
托米·拉尔森
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托米·拉尔森
;
马茨·约翰松
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马茨·约翰松
.
中国专利
:CN102933742B
,2013-02-13
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