一种用原子层沉积技术生长氧化铝的工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911055242.X

申请日：

2019-10-31

公开(公告)号：

CN110760818A

公开(公告)日：

2020-02-07

发明(设计)人：

刘佳晶陈艳明叶武阳温丽娜

申请人：

申请人地址：

130033 吉林省长春市经开区营口路18号

IPC主分类号：

C23C1640

IPC分类号：

C23C16455

代理机构：

长春市吉利专利事务所 22206

代理人：

李晓莉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/40 申请日:20191031
2022-08-05	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C 16/40 申请公布日:20200207
2020-02-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种原子层沉积超薄氧化铝薄膜的装置及方法 [P].

陈强 ;

桑利军 ;

李兴存 .

中国专利 :CN101921994B ,2010-12-22

[2]

氧化铝层的沉积 [P].

梅里哈·歌德·兰维尔 ;

纳格拉杰·尚卡尔 ;

卡普·斯里什·雷迪 ;

丹尼斯·M·豪斯曼 .

中国专利 :CN114582709A ,2022-06-03

[3]

提高氧化铝原子层沉积速率的方法 [P].

杨淋淋 ;

邢中豪 ;

冯秦旭 ;

林建树 ;

梁金娥 ;

李宗旭 ;

张守龙 .

中国专利 :CN118116791A ,2024-05-31

[4]

氧化铝蚀刻停止层的沉积 [P].

梅里哈·哥德·兰维尔 ;

纳格拉杰·尚卡尔 ;

卡普·斯里什·雷迪 ;

丹尼斯·M·豪斯曼 .

中国专利 :CN108133880A ,2018-06-08

[5]

一种新型氧化铝原子层沉积装置及其沉积方法 [P].

秦海丰 ;

李春雷 ;

纪红 ;

赵雷超 .

中国专利 :CN109423621A ,2019-03-05

[6]

一种原子层沉积技术ALD生长NiSix薄膜的方法 [P].

张羽翔 ;

姚川 ;

张时星 ;

李会 ;

吕春杰 ;

赵艳玲 ;

周琪 ;

甘娜 ;

张慧 ;

阴文玉 .

中国专利 :CN112442681A ,2021-03-05

[7]

一种原子层沉积技术生长NbSx薄膜的方法 [P].

丁玉强 ;

杜立永 ;

王科炎 .

中国专利 :CN110747448A ,2020-02-04

[8]

一种原子层沉积技术生长MnxN薄膜的方法 [P].

杜立永 ;

丁玉强 .

中国专利 :CN110804731A ,2020-02-18

[9]

一种原子层沉积技术生长SnSx薄膜的方法 [P].

张羽翔 ;

姚川 ;

张艳鸽 ;

于东亮 ;

王松涛 ;

张时星 ;

秦娜 ;

郭鑫 ;

瞿轩轩 ;

王潚君 ;

李雪仃 ;

董颂扬 .

中国专利 :CN114875390A ,2022-08-09

[10]

一种原子层沉积技术生长NbxC薄膜的方法 [P].

丁玉强 ;

何冬梅 ;

杜立永 .

中国专利 :CN112458432A ,2021-03-09

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