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接合用金属糊料、接合体及其制造方法以及半导体装置及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201880017473.9
申请日：
2018-01-18
公开(公告)号：
CN110430951B
公开(公告)日：
2019-11-08
发明(设计)人：
川名祐贵 中子伟夫 根岸征央 石川大 须镰千绘 江尻芳则
申请人：
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
B22F100
IPC分类号：
B22F900 H01L2152
代理机构：
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人：
白丽
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-12-03 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):B22F 1/00 申请日:20180118
2019-11-08 公开 公开
2021-11-16 授权 授权
2021-11-05 著录事项变更 著录事项变更 IPC(主分类):B22F 1/00 变更事项:申请人 变更前:日立化成株式会社 变更后:昭和电工材料株式会社 变更事项:地址 变更前:日本东京 变更后:日本东京
共 50 条
[1]
接合用金属糊料、接合体及其制造方法以及半导体装置及其制造方法 [P]. 
川名祐贵 ;
中子伟夫 ;
根岸征央 ;
石川大 ;
须镰千绘 ;
江尻芳则 .
中国专利 :CN110461504B ,2019-11-15
[2]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
石川大 ;
川名祐贵 ;
须镰千绘 ;
中子伟夫 ;
江尻芳则 ;
蔵渊和彦 .
中国专利 :CN107921540A ,2018-04-17
[3]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
川名祐贵 ;
蔵渊和彦 ;
江尻芳则 ;
中子伟夫 ;
须镰千绘 ;
石川大 .
日本专利 :CN111283206B ,2024-11-26
[4]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
川名祐贵 ;
蔵渊和彦 ;
江尻芳则 ;
中子伟夫 ;
须镰千绘 ;
石川大 .
中国专利 :CN107949447B ,2018-04-20
[5]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
川名祐贵 ;
蔵渊和彦 ;
江尻芳则 ;
中子伟夫 ;
须镰千绘 ;
石川大 .
中国专利 :CN111283206A ,2020-06-16
[6]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
石川大 ;
川名祐贵 ;
须镰千绘 ;
中子伟夫 ;
江尻芳则 ;
蔵渊和彦 .
日本专利 :CN111230125B ,2024-11-26
[7]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
石川大 ;
川名祐贵 ;
须镰千绘 ;
中子伟夫 ;
江尻芳则 ;
蔵渊和彦 .
中国专利 :CN111230125A ,2020-06-05
[8]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
川名祐贵 ;
中子伟夫 ;
石川大 ;
须镰千绘 ;
蔵渊和彦 ;
江尻芳则 .
中国专利 :CN109070206A ,2018-12-21
[9]
无加压接合用铜糊料、接合体及半导体装置 [P]. 
中子伟夫 ;
蔵渕和彦 ;
江尻芳则 ;
石川大 ;
须镰千绘 ;
川名祐贵 .
中国专利 :CN110167695A ,2019-08-23
[10]
接合用金属膏、以及接合体及其制造方法 [P]. 
中子伟夫 ;
江尻芳则 ;
田中俊明 ;
石川大 ;
名取美智子 .
日本专利 :CN117916038A ,2024-04-19
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