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接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010103624.1
申请日：
2016-09-07
公开(公告)号：
CN111230125A
公开(公告)日：
2020-06-05
发明(设计)人：
石川大 川名祐贵 须镰千绘 中子伟夫 江尻芳则 蔵渊和彦
申请人：
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
B22F706
IPC分类号：
B22F100 H01L2152 H01B122
代理机构：
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人：
白丽
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-06-30 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):B22F 7/06 申请日:20160907
2020-06-05 公开 公开
共 50 条
[1]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
石川大 ;
川名祐贵 ;
须镰千绘 ;
中子伟夫 ;
江尻芳则 ;
蔵渊和彦 .
中国专利 :CN107921540A ,2018-04-17
[2]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
川名祐贵 ;
蔵渊和彦 ;
江尻芳则 ;
中子伟夫 ;
须镰千绘 ;
石川大 .
日本专利 :CN111283206B ,2024-11-26
[3]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
川名祐贵 ;
蔵渊和彦 ;
江尻芳则 ;
中子伟夫 ;
须镰千绘 ;
石川大 .
中国专利 :CN107949447B ,2018-04-20
[4]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
川名祐贵 ;
蔵渊和彦 ;
江尻芳则 ;
中子伟夫 ;
须镰千绘 ;
石川大 .
中国专利 :CN111283206A ,2020-06-16
[5]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
石川大 ;
川名祐贵 ;
须镰千绘 ;
中子伟夫 ;
江尻芳则 ;
蔵渊和彦 .
日本专利 :CN111230125B ,2024-11-26
[6]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
川名祐贵 ;
中子伟夫 ;
石川大 ;
须镰千绘 ;
蔵渊和彦 ;
江尻芳则 .
中国专利 :CN109070206A ,2018-12-21
[7]
无加压接合用铜糊料、接合体及半导体装置 [P]. 
中子伟夫 ;
蔵渕和彦 ;
江尻芳则 ;
石川大 ;
须镰千绘 ;
川名祐贵 .
中国专利 :CN110167695A ,2019-08-23
[8]
接合用金属糊料、接合体及其制造方法以及半导体装置及其制造方法 [P]. 
川名祐贵 ;
中子伟夫 ;
根岸征央 ;
石川大 ;
须镰千绘 ;
江尻芳则 .
中国专利 :CN110461504B ,2019-11-15
[9]
接合用金属糊料、接合体及其制造方法以及半导体装置及其制造方法 [P]. 
川名祐贵 ;
中子伟夫 ;
根岸征央 ;
石川大 ;
须镰千绘 ;
江尻芳则 .
中国专利 :CN110430951B ,2019-11-08
[10]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及接合体 [P]. 
根岸征央 ;
中子伟夫 ;
名取美智子 ;
石川大 ;
须镰千绘 ;
川名祐贵 .
中国专利 :CN114502301A ,2022-05-13
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