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接合用铜糊料、接合体的制造方法及接合体

被引：0
申请号：
CN201980100833.6
申请日：
2019-09-30
公开(公告)号：
CN114502301A
公开(公告)日：
2022-05-13
发明(设计)人：
根岸征央 中子伟夫 名取美智子 石川大 须镰千绘 川名祐贵
申请人：
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
B22F110
IPC分类号：
B22F1052 B22F708 B22F310 H01B100 H01B122 H01L2152 H01L2158
代理机构：
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人：
白丽
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-05-31 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):B22F 1/10 申请日:20190930
2022-05-13 公开 公开
共 50 条
[1]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及接合体 [P]. 
川名祐贵 ;
江尻芳则 ;
中子伟夫 ;
名取美智子 ;
根岸征央 ;
石川大 ;
须镰千绘 .
中国专利 :CN114450107A ,2022-05-06
[2]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
石川大 ;
川名祐贵 ;
须镰千绘 ;
中子伟夫 ;
江尻芳则 ;
蔵渊和彦 .
中国专利 :CN107921540A ,2018-04-17
[3]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
川名祐贵 ;
蔵渊和彦 ;
江尻芳则 ;
中子伟夫 ;
须镰千绘 ;
石川大 .
日本专利 :CN111283206B ,2024-11-26
[4]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
川名祐贵 ;
蔵渊和彦 ;
江尻芳则 ;
中子伟夫 ;
须镰千绘 ;
石川大 .
中国专利 :CN107949447B ,2018-04-20
[5]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
川名祐贵 ;
蔵渊和彦 ;
江尻芳则 ;
中子伟夫 ;
须镰千绘 ;
石川大 .
中国专利 :CN111283206A ,2020-06-16
[6]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
石川大 ;
川名祐贵 ;
须镰千绘 ;
中子伟夫 ;
江尻芳则 ;
蔵渊和彦 .
日本专利 :CN111230125B ,2024-11-26
[7]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
石川大 ;
川名祐贵 ;
须镰千绘 ;
中子伟夫 ;
江尻芳则 ;
蔵渊和彦 .
中国专利 :CN111230125A ,2020-06-05
[8]
无加压接合用铜糊料、接合体及半导体装置 [P]. 
中子伟夫 ;
蔵渕和彦 ;
江尻芳则 ;
石川大 ;
须镰千绘 ;
川名祐贵 .
中国专利 :CN110167695A ,2019-08-23
[9]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
川名祐贵 ;
中子伟夫 ;
石川大 ;
须镰千绘 ;
蔵渊和彦 ;
江尻芳则 .
中国专利 :CN109070206A ,2018-12-21
[10]
片状接合用材料、接合体的制造方法及接合体 [P]. 
米泽彻 ;
冢本宏树 .
日本专利 :CN120917112A ,2025-11-07
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