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接合用铜糊料、接合体的制造方法及接合体

被引：0
申请号：
CN202080067956.7
申请日：
2020-09-30
公开(公告)号：
CN114450107A
公开(公告)日：
2022-05-06
发明(设计)人：
川名祐贵 江尻芳则 中子伟夫 名取美智子 根岸征央 石川大 须镰千绘
申请人：
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
B22F1107
IPC分类号：
B22F1142 B22F1054 B22F116 B22F708 B22F1052 H01B122 H01R1303 H01L2160 H01L23488 B82Y3000
代理机构：
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人：
白丽
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-05-06 公开 公开
2022-05-24 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):B22F 1/107 申请日:20200930
共 50 条
[1]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及接合体 [P]. 
根岸征央 ;
中子伟夫 ;
名取美智子 ;
石川大 ;
须镰千绘 ;
川名祐贵 .
中国专利 :CN114502301A ,2022-05-13
[2]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
川名祐贵 ;
中子伟夫 ;
石川大 ;
须镰千绘 ;
蔵渊和彦 ;
江尻芳则 .
中国专利 :CN109070206A ,2018-12-21
[3]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
石川大 ;
川名祐贵 ;
须镰千绘 ;
中子伟夫 ;
江尻芳则 ;
蔵渊和彦 .
中国专利 :CN107921540A ,2018-04-17
[4]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
川名祐贵 ;
蔵渊和彦 ;
江尻芳则 ;
中子伟夫 ;
须镰千绘 ;
石川大 .
日本专利 :CN111283206B ,2024-11-26
[5]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
川名祐贵 ;
蔵渊和彦 ;
江尻芳则 ;
中子伟夫 ;
须镰千绘 ;
石川大 .
中国专利 :CN107949447B ,2018-04-20
[6]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
川名祐贵 ;
蔵渊和彦 ;
江尻芳则 ;
中子伟夫 ;
须镰千绘 ;
石川大 .
中国专利 :CN111283206A ,2020-06-16
[7]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
石川大 ;
川名祐贵 ;
须镰千绘 ;
中子伟夫 ;
江尻芳则 ;
蔵渊和彦 .
日本专利 :CN111230125B ,2024-11-26
[8]
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
石川大 ;
川名祐贵 ;
须镰千绘 ;
中子伟夫 ;
江尻芳则 ;
蔵渊和彦 .
中国专利 :CN111230125A ,2020-06-05
[9]
片状接合用材料、接合体的制造方法及接合体 [P]. 
米泽彻 ;
冢本宏树 .
日本专利 :CN120917112A ,2025-11-07
[10]
接合用片及接合体的制造方法 [P]. 
増山弘太郎 ;
中矢清隆 .
日本专利 :CN118450955A ,2024-08-06
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