功率场效应管测试装置

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201020528275.X
申请日
2010-09-13
公开(公告)号
CN201780357U
公开(公告)日
2011-03-30
发明(设计)人
张国光 王自鑫 张顺 姚剑锋 李佳明 林华新
申请人
申请人地址
528000 广东省佛山市禅城区佛平路1号
IPC主分类号
G01R3126
IPC分类号
G01R3112
代理机构
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290
代理人
艾持平;王月玲
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
场效应管测试装置及其方法 [P]. 
杜业美 .
中国专利 :CN102478622B ,2012-05-30
[2]
功率MOS场效应管 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213583797U ,2021-06-29
[3]
场效应管测试电路 [P]. 
郝瑞庭 ;
王俊美 ;
刘惠鹏 .
中国专利 :CN207037014U ,2018-02-23
[4]
一种半导体场效应管测试装置 [P]. 
杨洋 .
中国专利 :CN210923885U ,2020-07-03
[5]
高效功率MOS场效应管 [P]. 
钟惠生 ;
李冰 .
中国专利 :CN215834514U ,2022-02-15
[6]
场效应管 [P]. 
杨湛 ;
陈涛 ;
刘会聪 ;
陈冬蕾 ;
孙立宁 .
中国专利 :CN207705200U ,2018-08-07
[7]
场效应管 [P]. 
任留涛 ;
李菲 ;
禹久赢 .
中国专利 :CN206878005U ,2018-01-12
[8]
高效功率MOS场效应管 [P]. 
黄彦智 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN208385417U ,2019-01-15
[9]
场效应管 [P]. 
李德友 ;
沈磊 ;
罗凯帆 ;
张继虎 ;
袁承超 ;
周鹏 .
中国专利 :CN206022350U ,2017-03-15
[10]
场效应管 [P]. 
李传南 .
中国专利 :CN203277349U ,2013-11-06