水冷装置及单晶硅生长炉

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721859989.7

申请日：

2017-12-26

公开(公告)号：

CN207877929U

公开(公告)日：

2018-09-18

发明(设计)人：

陈家骏邹凯曾世铭徐由兵田栋东

申请人：

申请人地址：

014100 内蒙古自治区包头市土右旗萨拉齐镇新型工业园区

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B1500

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司 11438

代理人：

阚梓瑄;王卫忠

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/06 申请日:20171226 授权公告日:20180918 终止日期:20191226
2018-09-18	授权	授权

共 50 条

[1]

水冷装置及单晶硅生长炉 [P].

陈家骏 ;

邹凯 ;

曾世铭 ;

徐由兵 ;

田栋东 .

中国专利 :CN208038587U ,2018-11-02

[2]

水冷屏装置及单晶硅生长炉 [P].

宋程章 ;

马玉花 ;

马幼学 ;

马淑兰 ;

陈奕峰 .

中国专利 :CN118374871A ,2024-07-23

[3]

单晶硅生长炉 [P].

陈俊宏 .

中国专利 :CN218262828U ,2023-01-10

[4]

水冷屏和单晶硅生长炉 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN112941616A ,2021-06-11

[5]

单晶硅生长炉加热装置 [P].

韩喆 ;

林友相 ;

李国迪 ;

蒋明霞 .

中国专利 :CN201842896U ,2011-05-25

[6]

单晶硅生长炉 [P].

李秦霖 ;

宋洪伟 .

中国专利 :CN106894082B ,2017-06-27

[7]

单晶硅生长炉 [P].

张志新 ;

王军 ;

安桂正 .

中国专利 :CN300933376D ,2009-05-27

[8]

单晶硅生长炉 [P].

刘磊 ;

武鹏 ;

楼杭炯 ;

王运动 ;

何金凯 ;

贾晨晨 ;

王成龙 ;

张大海 .

中国专利 :CN222935574U ,2025-06-03

[9]

单晶硅生长炉及其加料装置 [P].

胡动力 ;

刘海 ;

董一迪 ;

付家云 .

中国专利 :CN202323104U ,2012-07-11

[10]

单晶硅生长炉加热控制装置 [P].

孙庆真 ;

李国迪 ;

蒋明霞 .

中国专利 :CN201842898U ,2011-05-25

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