氧化物单晶及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97119363.0

申请日：

1997-09-30

公开(公告)号：

CN1178264A

公开(公告)日：

1998-04-08

发明(设计)人：

鹰木洋熊取谷诚人福田承生

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

C30B2922

IPC分类号：

C30B1500

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

白益华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-04-24	授权	授权
1998-02-25	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1998-04-08	公开	公开
2008-11-26	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)

共 50 条

[1]

氧化物及其制备方法 [P].

陈毅 ;

丁伟平 ;

淳圆 ;

马廉 ;

U·穆勒尔 .

中国专利 :CN1168535C ,2003-03-12

[2]

难熔氧化物单晶的制备设备 [P].

鲁仰辉 ;

罗帅 ;

于成伟 ;

夏海鸿 .

中国专利 :CN110528087A ,2019-12-03

[3]

单晶立方倍半氧化物的制备方法及其用途 [P].

P·韦贝尔 ;

V·贝拉斯克斯 ;

J-P·沙米纳德 ;

O·维拉潘蓬 .

中国专利 :CN102791910B ,2012-11-21

[4]

倍半氧化物单晶光纤及其制备方法与应用 [P].

贾志泰 ;

陶绪堂 ;

张娜 ;

张健 .

中国专利 :CN108977882A ,2018-12-11

[5]

Ruddlesden-Popper型锰氧化物单晶及其制备方法 [P].

吴枚霞 ;

梁锡辉 ;

王君君 ;

胡金花 ;

黄钦 ;

许平 ;

王巧 ;

林丹 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN112663142B ,2021-04-16

[6]

钛氧化物，导电钛氧化物及其制备方法 [P].

矶部薰 ;

千叶胜一 ;

坂本隆纪 .

中国专利 :CN101400608A ,2009-04-01

[7]

金属氧化物及其制备方法 [P].

郭健 ;

向玉莹 ;

李铭峰 ;

周萱 .

中国专利 :CN110921724A ,2020-03-27

[8]

氧化物基材及其制备方法 [P].

荻本泰史 .

中国专利 :CN103069056B ,2013-04-24

[9]

复合氧化物及其制备方法 [P].

方亮 ;

李威 ;

孙宜华 .

中国专利 :CN104310484A ,2015-01-28

[10]

复合氧化物及其制备方法 [P].

任成军 ;

陈耀强 ;

王健礼 ;

陈宇圣 .

中国专利 :CN106824163B ,2017-06-13

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