控制电路、外围电路、半导体存储器件及其操作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710102575.8

申请日：

2017-02-24

公开(公告)号：

CN107808682B

公开(公告)日：

2018-03-16

发明(设计)人：

金道霓

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G11C1610

IPC分类号：

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

任静;许伟群

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/10 申请日:20170224
2021-01-26	授权	授权
2018-03-16	公开	公开

共 50 条

[1]

外围电路、半导体存储器件及其操作方法 [P].

李熙烈 .

中国专利 :CN106653078B ,2017-05-10

[2]

操作电路控制器件、半导体存储器件及其操作方法 [P].

刘炳晟 ;

朴镇寿 ;

李相炖 .

中国专利 :CN103886907A ,2014-06-25

[3]

半导体存储器件及其操作方法 [P].

朴钟庆 ;

徐智贤 .

中国专利 :CN107240412A ,2017-10-10

[4]

半导体存储器件及其操作方法 [P].

金泰均 ;

李煕烈 ;

金世训 ;

徐智贤 ;

李东训 ;

张晶植 .

中国专利 :CN104835524A ,2015-08-12

[5]

操作控制电路和包括该操作控制电路的半导体存储器件 [P].

郑怡映 ;

李根一 .

韩国专利 :CN110390977B ,2024-01-02

[6]

操作控制电路和包括该操作控制电路的半导体存储器件 [P].

郑怡映 ;

李根一 .

中国专利 :CN110390977A ,2019-10-29

[7]

刷新操作控制电路、半导体存储器件和刷新操作控制方法 [P].

权奇昌 .

中国专利 :CN102467957A ,2012-05-23

[8]

半导体存储器件及其操作方法 [P].

李熙烈 .

中国专利 :CN106373610A ,2017-02-01

[9]

半导体存储器件及其操作方法 [P].

李映勋 .

中国专利 :CN106653083A ,2017-05-10

[10]

半导体存储器件及其操作方法 [P].

沈贞云 ;

郑成在 ;

金眞求 ;

李东奂 ;

金承源 ;

李修旻 .

中国专利 :CN103680615A ,2014-03-26

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