外围电路、半导体存储器件及其操作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610282549.3

申请日：

2016-04-29

公开(公告)号：

CN106653078B

公开(公告)日：

2017-05-10

发明(设计)人：

李熙烈

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G11C808

IPC分类号：

G11C814

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

李少丹;许伟群

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-10	公开	公开
2018-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 8/08 申请日:20160429
2020-08-04	授权	授权

共 50 条

[1]

控制电路、外围电路、半导体存储器件及其操作方法 [P].

金道霓 .

中国专利 :CN107808682B ,2018-03-16

[2]

半导体存储器件及其操作方法 [P].

李熙烈 .

中国专利 :CN106571158A ,2017-04-19

[3]

半导体存储器件及其操作方法 [P].

朴钟庆 ;

徐智贤 .

中国专利 :CN107240412A ,2017-10-10

[4]

半导体存储器件及其操作方法 [P].

金泰均 ;

李煕烈 ;

金世训 ;

徐智贤 ;

李东训 ;

张晶植 .

中国专利 :CN104835524A ,2015-08-12

[5]

半导体存储器件及其操作方法 [P].

李熙烈 .

中国专利 :CN106373610A ,2017-02-01

[6]

半导体存储器件及其操作方法 [P].

李映勋 .

中国专利 :CN106653083A ,2017-05-10

[7]

半导体存储器件及其操作方法 [P].

沈贞云 ;

郑成在 ;

金眞求 ;

李东奂 ;

金承源 ;

李修旻 .

中国专利 :CN103680615A ,2014-03-26

[8]

半导体存储器件及其操作方法 [P].

李熙烈 ;

刘泫昇 .

中国专利 :CN106205700B ,2016-12-07

[9]

半导体存储器件及其操作方法 [P].

李映勋 .

中国专利 :CN106531215B ,2017-03-22

[10]

半导体存储器件及其操作方法 [P].

李映勋 .

韩国专利 :CN111899778B ,2024-06-11

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