具有表面保护层的半导体元件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010633624.2
申请日
2020-07-02
公开(公告)号
CN113889842A
公开(公告)日
2022-01-04
发明(设计)人
吴侑伦
申请人
申请人地址
中国台湾桃园市
IPC主分类号
H01S5028
IPC分类号
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
陈小雯
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
具有保护层的半导体元件及其制备方法 [P]. 
吴俊亨 .
中国专利 :CN119446903A ,2025-02-14
[2]
具有保护层的半导体元件及其制备方法 [P]. 
吴俊亨 .
中国专利 :CN119446904A ,2025-02-14
[3]
具有多个保护层的半导体元件及其制备方法 [P]. 
黄则尧 ;
施信益 .
中国专利 :CN113903723A ,2022-01-07
[4]
金属半导体结的蚀刻保护层结构及其制造方法 [P]. 
吴侑伦 .
中国专利 :CN113889841A ,2022-01-04
[5]
具有保护层的半导体发光元件 [P]. 
姚久琳 ;
吕志强 .
中国专利 :CN102130261A ,2011-07-20
[6]
具有保护层的半导体发光元件 [P]. 
姚久琳 ;
吕志强 .
中国专利 :CN104064636A ,2014-09-24
[7]
具有复合介电层的半导体元件及其制造方法 [P]. 
林原园 .
中国专利 :CN120690784A ,2025-09-23
[8]
具有复合介电层的半导体元件及其制造方法 [P]. 
林原园 .
中国专利 :CN120690783A ,2025-09-23
[9]
具有紫外光保护层的半导体元件 [P]. 
吴振诚 ;
卢永诚 ;
柯忠祁 .
中国专利 :CN100401502C ,2006-07-05
[10]
半导体元件及其制造方法以及半导体层的结构 [P]. 
廖晋毅 ;
刘升旭 .
中国专利 :CN104900525A ,2015-09-09