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具有表面保护层的半导体元件及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010633624.2
申请日
:
2020-07-02
公开(公告)号
:
CN113889842A
公开(公告)日
:
2022-01-04
发明(设计)人
:
吴侑伦
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾桃园市
IPC主分类号
:
H01S5028
IPC分类号
:
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
:
陈小雯
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-01-04
公开
公开
2022-01-21
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/028 申请日:20200702
共 50 条
[1]
具有保护层的半导体元件及其制备方法
[P].
吴俊亨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
南亚科技股份有限公司
南亚科技股份有限公司
吴俊亨
.
中国专利
:CN119446903A
,2025-02-14
[2]
具有保护层的半导体元件及其制备方法
[P].
吴俊亨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
南亚科技股份有限公司
南亚科技股份有限公司
吴俊亨
.
中国专利
:CN119446904A
,2025-02-14
[3]
具有多个保护层的半导体元件及其制备方法
[P].
黄则尧
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
黄则尧
;
施信益
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
施信益
.
中国专利
:CN113903723A
,2022-01-07
[4]
金属半导体结的蚀刻保护层结构及其制造方法
[P].
吴侑伦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴侑伦
.
中国专利
:CN113889841A
,2022-01-04
[5]
具有保护层的半导体发光元件
[P].
姚久琳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
姚久琳
;
吕志强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吕志强
.
中国专利
:CN102130261A
,2011-07-20
[6]
具有保护层的半导体发光元件
[P].
姚久琳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
姚久琳
;
吕志强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吕志强
.
中国专利
:CN104064636A
,2014-09-24
[7]
具有复合介电层的半导体元件及其制造方法
[P].
林原园
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
南亚科技股份有限公司
南亚科技股份有限公司
林原园
.
中国专利
:CN120690784A
,2025-09-23
[8]
具有复合介电层的半导体元件及其制造方法
[P].
林原园
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
南亚科技股份有限公司
南亚科技股份有限公司
林原园
.
中国专利
:CN120690783A
,2025-09-23
[9]
具有紫外光保护层的半导体元件
[P].
吴振诚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴振诚
;
卢永诚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
卢永诚
;
柯忠祁
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
柯忠祁
.
中国专利
:CN100401502C
,2006-07-05
[10]
半导体元件及其制造方法以及半导体层的结构
[P].
廖晋毅
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
廖晋毅
;
刘升旭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘升旭
.
中国专利
:CN104900525A
,2015-09-09
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