具有复合介电层的半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510283115.4

申请日：

2024-05-27

公开(公告)号：

CN120690784A

公开(公告)日：

2025-09-23

发明(设计)人：

林原园

申请人：

南亚科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新北市

IPC主分类号：

H01L23/532

IPC分类号：

H01L21/768

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

李南山

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/532申请日:20240527
2025-09-23	公开	公开

共 50 条

[1]

具有复合介电层的半导体元件及其制造方法 [P].

林原园 .

中国专利 :CN120690783A ,2025-09-23

[2]

具有顶部介电层的半导体元件及其制造方法 [P].

吴俊亨 .

中国专利 :CN120692849A ,2025-09-23

[3]

具有顶部介电层的半导体元件及其制造方法 [P].

吴俊亨 .

中国专利 :CN120692844A ,2025-09-23

[4]

半导体元件的多层内介电层及其制造方法 [P].

张正宏 ;

陆晓慈 ;

傅竹韵 ;

张文 ;

郑双铭 .

中国专利 :CN100426500C ,2006-08-30

[5]

栅介电层及半导体元件的制造方法 [P].

郑礼贤 ;

李东兴 ;

郑子铭 ;

沈泽民 ;

邱大秦 .

中国专利 :CN1959937A ,2007-05-09

[6]

具有低介电常数介电层的半导体元件的制造方法 [P].

郑双铭 ;

叶明灵 ;

包天一 ;

林耕竹 .

中国专利 :CN100369233C ,2006-08-09

[7]

具有表面保护层的半导体元件及其制造方法 [P].

吴侑伦 .

中国专利 :CN113889842A ,2022-01-04

[8]

具有介电层的半导体结构元件 [P].

T·沙里 ;

J·托马斯科 ;

D·蒙泰罗迪尼斯雷斯 ;

D·潘特尔 ;

F·沙茨 ;

M·梅夫斯 .

中国专利 :CN114080697A ,2022-02-22

[9]

具有介电层的半导体结构元件 [P].

F·沙茨 ;

T·沙里 ;

D·蒙泰罗迪尼斯雷斯 ;

D·潘特尔 ;

J·托马斯科 ;

M·梅夫斯 .

中国专利 :CN114127967A ,2022-03-01

[10]

具有介电层的半导体结构元件 [P].

T·沙里 ;

J·托马斯科 ;

D·蒙泰罗迪尼斯雷斯 ;

D·潘特尔 ;

F·沙茨 ;

M·梅夫斯 .

德国专利 :CN114080697B ,2025-02-21

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