半导体工艺腔室的清洗控制方法及半导体工艺腔室

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专利类型
发明
申请号
CN202110230759.9
申请日
2021-03-02
公开(公告)号
CN113035749A
公开(公告)日
2021-06-25
发明(设计)人
尤艳艳
申请人
申请人地址
100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号
H01L2167
IPC分类号
代理机构
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
彭瑞欣;王婷
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体工艺腔室的清洗控制方法及半导体工艺腔室 [P]. 
尤艳艳 .
中国专利 :CN113035749B ,2024-07-23
[2]
半导体工艺方法和半导体工艺腔室 [P]. 
刘旭 ;
于宸崎 ;
赵可可 ;
胡云龙 .
中国专利 :CN114649242B ,2025-10-10
[3]
半导体工艺方法和半导体工艺腔室 [P]. 
刘旭 ;
于宸崎 ;
赵可可 ;
胡云龙 .
中国专利 :CN114649242A ,2022-06-21
[4]
半导体工艺腔室和半导体工艺方法 [P]. 
王军帅 ;
王冲 ;
魏景峰 ;
赵联波 .
中国专利 :CN116162920B ,2025-09-16
[5]
半导体工艺腔室及半导体工艺方法 [P]. 
杨京 ;
王炳元 ;
韦刚 ;
卫晶 ;
王景远 .
中国专利 :CN114446758A ,2022-05-06
[6]
半导体工艺腔室及半导体工艺方法 [P]. 
杨京 ;
王炳元 ;
韦刚 ;
卫晶 ;
王景远 .
中国专利 :CN114446758B ,2024-04-12
[7]
半导体工艺腔室的冷却装置及半导体工艺腔室 [P]. 
任晓滨 .
中国专利 :CN114171437A ,2022-03-11
[8]
半导体工艺腔室的冷却装置及半导体工艺腔室 [P]. 
任晓滨 .
中国专利 :CN114171437B ,2025-05-23
[9]
半导体工艺腔室 [P]. 
李进 .
中国专利 :CN113707523B ,2024-03-26
[10]
半导体工艺腔室 [P]. 
李进 .
中国专利 :CN113707523A ,2021-11-26