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半导体工艺腔室的冷却装置及半导体工艺腔室
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111451406.8
申请日：
2021-12-01
公开(公告)号：
CN114171437B
公开(公告)日：
2025-05-23
发明(设计)人：
任晓滨
申请人：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址：
100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号：
H01L21/67
IPC分类号：
代理机构：
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人：
彭瑞欣;王婷
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-05-23 | 授权 | 授权 |