MEMS真空计及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111625074.0

申请日：

2021-12-29

公开(公告)号：

CN113979405A

公开(公告)日：

2022-01-28

发明(设计)人：

王广猛史晓晶柳俊文

申请人：

申请人地址：

210032 江苏省南京市高新开发区星火路17号创智大厦B座6楼

IPC主分类号：

B81C100

IPC分类号：

B81C300 B81B700 B81B702 G01L2100

代理机构：

北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226

代理人：

李明;赵吉阳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-11	授权	授权
2022-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 申请日:20211229
2022-01-28	公开	公开

共 50 条

[1]

MEMS薄膜真空计及其制备方法 [P].

王广猛 ;

史晓晶 ;

柳俊文 .

中国专利 :CN114314498A ,2022-04-12

[2]

微型真空计及其制备方法 [P].

冯刘昊东 ;

陈朔 ;

郭松 ;

彭鑫林 ;

季宇成 ;

许杨 ;

王诗男 .

中国专利 :CN118464281A ,2024-08-09

[3]

福原万沙洋 .

中国专利 :CN301838792S ,2012-02-15

[4]

岸田创太郎 ;

山下圭裕 ;

中井淳也 .

中国专利 :CN109974929A ,2019-07-05

[5]

一种基于MEMS的电离真空计及其制备方法 [P].

孙雷蒙 ;

范继 ;

陈科 ;

肖东阳 ;

王玉容 ;

涂良成 .

中国专利 :CN110342456B ,2019-10-18

[6]

青木重光 .

中国专利 :CN301947217S ,2012-06-06

[7]

石斌文 ;

陈扣虎 .

中国专利 :CN308987869S ,2024-12-06

[8]

中井淳也 ;

岸田创太郎 .

中国专利 :CN113358271A ,2021-09-07

[9]

今洋一 .

中国专利 :CN3597518D ,2007-01-10

[10]

蒋友荣 .

中国专利 :CN306458905S ,2021-04-13

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