MEMS薄膜真空计及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210244071.0

申请日：

2022-03-14

公开(公告)号：

CN114314498A

公开(公告)日：

2022-04-12

发明(设计)人：

王广猛史晓晶柳俊文

申请人：

申请人地址：

210032 江苏省南京市高新开发区星火路17号创智大厦B座6楼

IPC主分类号：

B81B702

IPC分类号：

B81C300 G01L2100

代理机构：

北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226

代理人：

李明;赵吉阳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-12	公开	公开
2022-06-03	授权	授权
2022-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B81B 7/02 申请日:20220314

共 50 条

[1]

MEMS真空计及其制备方法 [P].

王广猛 ;

史晓晶 ;

柳俊文 .

中国专利 :CN113979405A ,2022-01-28

[2]

一种薄膜真空计及其制备方法 [P].

杨一新 .

中国专利 :CN117571196A ,2024-02-20

[3]

电容薄膜真空计 [P].

刘公超 ;

潘雨默 ;

刘旭强 ;

陶硕 ;

林立男 ;

闫冉 .

中国专利 :CN118624093A ,2024-09-10

[4]

电容薄膜真空计 [P].

王晓利 ;

赵胜义 ;

王育才 .

中国专利 :CN308854823S ,2024-09-24

[5]

微型真空计及其制备方法 [P].

冯刘昊东 ;

陈朔 ;

郭松 ;

彭鑫林 ;

季宇成 ;

许杨 ;

王诗男 .

中国专利 :CN118464281A ,2024-08-09

[6]

一种电容薄膜真空计及其制备方法 [P].

雷程 ;

余建刚 ;

梁庭 ;

张臻昊 ;

李腾腾 ;

李丰超 ;

李鑫浦 ;

李志强 .

中国专利 :CN119178552A ,2024-12-24

[7]

一种基于MEMS技术的电容薄膜真空计 [P].

李刚 ;

成永军 ;

何申伟 ;

孙雯君 ;

习振华 ;

张瑞芳 ;

杨利 .

中国专利 :CN111141443A ,2020-05-12

[8]

基于MEMS的高灵敏度电容薄膜真空计及其制作方法 [P].

陶继方 ;

刘汉哲 .

中国专利 :CN115508001A ,2022-12-23

[9]

一种电容薄膜真空计 [P].

黄星星 ;

侯少毅 ;

卫红 ;

刘乔 ;

胡强 .

中国专利 :CN114459670A ,2022-05-10

[10]

电容式薄膜真空计检测装置、真空计及检测方法 [P].

王松杰 ;

廖兴才 ;

林立男 ;

汤一 ;

闫冉 ;

王杰 ;

宋冬谊 ;

唐嫒尧 ;

高乐 .

中国专利 :CN115031896B ,2024-06-07

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