基于MEMS的高灵敏度电容薄膜真空计及其制作方法

被引：0

申请号：

CN202211189737.3

申请日：

2022-09-28

公开(公告)号：

CN115508001A

公开(公告)日：

2022-12-23

发明(设计)人：

陶继方刘汉哲

申请人：

申请人地址：

266200 山东省青岛市即墨区滨海路72号

IPC主分类号：

G01L2100

IPC分类号：

代理机构：

青岛华慧泽专利代理事务所(普通合伙) 37247

代理人：

刘娜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01L 21/00 申请日:20220928
2022-12-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高灵敏度电容薄膜真空计 [P].

唐云剑 .

中国专利 :CN109813491A ,2019-05-28

[2]

一种高灵敏度电容薄膜真空计 [P].

唐云剑 .

中国专利 :CN209470806U ,2019-10-08

[3]

高灵敏度范围可控调节的真空计 [P].

王泽斌 .

中国专利 :CN111964835A ,2020-11-20

[4]

一种基于MEMS技术的电容薄膜真空计 [P].

李刚 ;

成永军 ;

何申伟 ;

孙雯君 ;

习振华 ;

张瑞芳 ;

杨利 .

中国专利 :CN111141443A ,2020-05-12

[5]

MEMS薄膜真空计及其制备方法 [P].

王广猛 ;

史晓晶 ;

柳俊文 .

中国专利 :CN114314498A ,2022-04-12

[6]

一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法 [P].

刘乔 ;

侯少毅 ;

何斌 ;

郭晓东 ;

肖永能 .

中国专利 :CN118565697A ,2024-08-30

[7]

一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法 [P].

刘乔 ;

侯少毅 ;

何斌 ;

郭晓东 ;

肖永能 .

中国专利 :CN118565697B ,2024-10-11

[8]

一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法 [P].

黄星星 ;

刘乔 ;

侯少毅 ;

王凤双 .

中国专利 :CN115219103B ,2022-11-18

[9]

一种宽量程高灵敏度MEMS电容薄膜真空规 [P].

韩晓东 ;

李得天 ;

冯勇建 ;

许马会 .

中国专利 :CN112611506A ,2021-04-06

[10]

电容薄膜真空计膜片的张紧装置 [P].

鲍春 ;

张斌 ;

谢志清 ;

蔡文冲 .

中国专利 :CN221224069U ,2024-06-25

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