半导体装置和半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780032407.4

申请日：

2017-09-15

公开(公告)号：

CN109314139B

公开(公告)日：

2019-02-05

发明(设计)人：

宫田大嗣野口晴司吉田崇一田边広光河野宪司大仓康嗣

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县川崎市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2128 H01L21322 H01L21329 H01L21336 H01L2941 H01L29739 H01L29861 H01L29868

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

金玉兰;王颖

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-15	授权	授权
2019-03-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20170915
2019-02-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置的制造方法 [P].

宫腰宣树 .

中国专利 :CN109997215B ,2019-07-09

[2]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

三原竜善 .

中国专利 :CN108231561A ,2018-06-29

[3]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

岩谷将伸 ;

内海诚 .

中国专利 :CN107204369A ,2017-09-26

[4]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

星保幸 .

日本专利 :CN112219282B ,2024-12-03

[5]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

星保幸 .

中国专利 :CN112219282A ,2021-01-12

[6]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

矶部敦生 ;

山崎舜平 ;

小久保千穗 ;

田中幸一郎 ;

下村明久 ;

荒尾达也 ;

宫入秀和 .

中国专利 :CN101110437B ,2008-01-23

[7]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

内山博幸 ;

藤崎寿美子 ;

森塚翼 .

中国专利 :CN107026208B ,2017-08-08

[8]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

齐藤贵翁 ;

金子诚二 ;

神崎庸辅 ;

高丸泰 ;

井手启介 ;

松尾拓哉 .

中国专利 :CN106605295A ,2017-04-26

[9]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

长友浩二 .

中国专利 :CN113950741A ,2022-01-18

[10]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

菅原健太 .

日本专利 :CN117637806A ,2024-03-01

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