半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780073447.3

申请日：

2017-01-24

公开(公告)号：

CN109997215B

公开(公告)日：

2019-07-09

发明(设计)人：

宫腰宣树

申请人：

申请人地址：

日本东京都千代田区大手町二丁目2番1号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21322 H01L2978

代理机构：

上海德昭知识产权代理有限公司 31204

代理人：

郁旦蓉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-09	公开	公开
2022-04-08	授权	授权
2019-08-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20170124

共 50 条

[1]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

宫田大嗣 ;

野口晴司 ;

吉田崇一 ;

田边広光 ;

河野宪司 ;

大仓康嗣 .

中国专利 :CN109314139B ,2019-02-05

[2]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

本田真彬 ;

北田瑞枝 ;

丸山莉香帆 .

日本专利 :CN118661267A ,2024-09-17

[3]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

上村和贵 ;

洼内源宜 .

中国专利 :CN113809147A ,2021-12-17

[4]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

立道秀平 ;

西村武义 ;

新村康 ;

井上正范 .

中国专利 :CN103779414B ,2014-05-07

[5]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

大谷欣也 .

中国专利 :CN108886054B ,2018-11-23

[6]

半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

下沢慎 .

中国专利 :CN110875246A ,2020-03-10

[7]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

大谷欣也 .

中国专利 :CN108701715A ,2018-10-23

[8]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

岩谷将伸 ;

内海诚 .

中国专利 :CN107204369A ,2017-09-26

[9]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

星保幸 .

日本专利 :CN112219282B ,2024-12-03

[10]

半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

下沢慎 .

日本专利 :CN110875246B ,2024-07-16

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