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半导体装置的制造方法及半导体装置
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910540917.3
申请日：
2019-06-21
公开(公告)号：
CN110875246B
公开(公告)日：
2024-07-16
发明(设计)人：
下沢慎
申请人：
富士电机株式会社
申请人地址：
日本神奈川县川崎市
IPC主分类号：
H01L21/768
IPC分类号：
H01L21/331
H01L23/538
H01L29/739
代理机构：
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人：
张欣;金玉兰
法律状态：
专利权期限的补偿
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-10-08 | 专利权期限的补偿 | 专利权期限补偿IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20190621授权公告日:20240716原专利权期满终止日:20390621现专利权期满终止日:20390727 |
| 2024-07-16 | 授权 | 授权 |