半导体装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610101477.4

申请日：

2006-07-10

公开(公告)号：

CN1893093A

公开(公告)日：

2007-01-10

发明(设计)人：

加藤树理

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L2184

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-04-08	授权	授权
2007-01-10	公开	公开
2015-09-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101623047374 IPC(主分类):H01L 27/12 专利号:ZL2006101014774 申请日:20060710 授权公告日:20090408 终止日期:20140710

共 50 条

[1]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

上村和贵 ;

洼内源宜 .

中国专利 :CN113809147A ,2021-12-17

[2]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN107275411A ,2017-10-20

[3]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

井口贵弘 ;

神长正美 .

日本专利 :CN120898538A ,2025-11-04

[4]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

中野佑纪 ;

中村亮太 .

中国专利 :CN101834203A ,2010-09-15

[5]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

早川昌彦 ;

本田达也 .

中国专利 :CN103066112B ,2013-04-24

[6]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

早川昌彦 ;

本田达也 .

中国专利 :CN107403808A ,2017-11-28

[7]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN103035735B ,2013-04-10

[8]

半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

下沢慎 .

中国专利 :CN110875246A ,2020-03-10

[9]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

加藤树理 .

中国专利 :CN1828943A ,2006-09-06

[10]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

本田真彬 ;

北田瑞枝 ;

丸山莉香帆 .

日本专利 :CN118661267A ,2024-09-17

← 1 2 3 4 5 →