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半导体装置及半导体装置的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202380016491.6
申请日：
2023-01-26
公开(公告)号：
CN118661267A
公开(公告)日：
2024-09-17
发明(设计)人：
本田真彬
北田瑞枝
丸山莉香帆
申请人：
新电元工业株式会社
申请人地址：
日本国东京都千代田区大手町二丁目2番1号
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L21/336
H01L29/06
H01L29/41
H01L29/739
代理机构：
上海德昭知识产权代理有限公司 31204
代理人：
郁旦蓉
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-09-17 | 公开 | 公开 |
| 2024-10-08 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20230126 |