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制造半导体辐射检测器的方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201780089443.4
申请日：
2017-04-21
公开(公告)号：
CN110494989B
公开(公告)日：
2019-11-22
发明(设计)人：
曹培炎
刘雨润
申请人：
申请人地址：
518000 广东省深圳市南山区招商街道沿山社区南海大道1019号南山医疗器械产业园A、B座B507
IPC主分类号：
H01L3108
IPC分类号：
G01T124
代理机构：
深圳市六加知识产权代理有限公司 44372
代理人：
孙媛
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-04-21 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/08 申请日:20170421 |
| 2020-04-21 | 著录事项变更 | 著录事项变更 IPC(主分类):H01L 31/08 变更事项:申请人 变更前:深圳帧观德芯科技有限公司 变更后:深圳帧观德芯科技有限公司 变更事项:地址 变更前:518054 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室 变更后:518071 广东省深圳市南山区桃源街道塘朗社区信宜五路13号塘朗工业B区集悦城众创产业园52栋201 |
| 2022-03-08 | 著录事项变更 | 著录事项变更 IPC(主分类):H01L 31/08 变更事项:申请人 变更前:深圳帧观德芯科技有限公司 变更后:深圳帧观德芯科技有限公司 变更事项:地址 变更前:518071 广东省深圳市南山区桃源街道塘朗社区信宜五路13号塘朗工业B区集悦城众创产业园52栋201 变更后:518000 广东省深圳市南山区招商街道沿山社区南海大道1019号南山医疗器械产业园A、B座B507 |
| 2022-08-26 | 授权 | 授权 |
| 2019-11-22 | 公开 | 公开 |