半导体辐射检测器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202080090871.0
申请日
2020-02-26
公开(公告)号
CN114981685B
公开(公告)日
2025-08-05
发明(设计)人
曹培炎 刘雨润
申请人
深圳帧观德芯科技有限公司
申请人地址
518000 广东省深圳市南山区招商街道沿山社区南海大道1019号南山医疗器械产业园A、B座B507
IPC主分类号
G01T1/24
IPC分类号
代理机构
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290
代理人
房岭梅;姚鹏
法律状态
授权
国省代码
广东省 深圳市
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
半导体辐射检测器 [P]. 
曹培炎 ;
刘雨润 .
中国专利 :CN113260880B ,2025-05-16
[2]
半导体辐射检测器 [P]. 
曹培炎 ;
刘雨润 .
中国专利 :CN113260880A ,2021-08-13
[3]
半导体辐射检测器 [P]. 
汉斯·安德森 .
中国专利 :CN110462443A ,2019-11-15
[4]
半导体辐射检测器 [P]. 
熊泽良彦 .
中国专利 :CN85106296A ,1986-12-24
[5]
半导体辐射检测器 [P]. 
曹培炎 .
中国专利 :CN120457366A ,2025-08-08
[6]
用于辐射检测器的半导体结构以及辐射检测器 [P]. 
麦克尔·皮尔斯科尔 .
中国专利 :CN103258873A ,2013-08-21
[7]
辐射检测器 [P]. 
曹培炎 ;
刘雨润 .
中国专利 :CN114902081A ,2022-08-12
[8]
可见光检测半导体辐射检测器 [P]. 
阿尔托·奥罗拉 .
中国专利 :CN101356646B ,2009-01-28
[9]
制造半导体辐射检测器的方法 [P]. 
曹培炎 ;
刘雨润 .
中国专利 :CN110494989B ,2019-11-22
[10]
制作辐射检测器的方法 [P]. 
曹培炎 ;
刘雨润 .
中国专利 :CN111587388B ,2024-06-14