基于垂直耦合结构的硅-氮化硅集成偏振分束器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010932820.X
申请日
2020-09-08
公开(公告)号
CN112269224A
公开(公告)日
2021-01-26
发明(设计)人
王嘉源
申请人
申请人地址
210046 江苏省南京市栖霞区文苑路9号
IPC主分类号
G02B6126
IPC分类号
G02B6122
代理机构
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204
代理人
柏尚春
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种基于硅-二氧化硅-氮化硅结构的集成偏振分束器 [P]. 
王嘉源 .
中国专利 :CN113219587A ,2021-08-06
[2]
一种基于多模干涉的氮化硅光偏振分束器及其制备方法 [P]. 
陈钰杰 ;
刘东宁 ;
罗世松 ;
孔嘉权 ;
张彦峰 ;
余思远 .
中国专利 :CN107765441A ,2018-03-06
[3]
基于碳化硅片上集成的偏振分束器 [P]. 
张永 ;
陈雨琦 ;
徐子涵 ;
沈健 ;
苏翼凯 .
中国专利 :CN118033816A ,2024-05-14
[4]
一种基于氮化硅脊形光波导的片上集成偏振分束器 [P]. 
马钰洁 ;
郑鑫智 ;
赵晨淅 ;
阮双琛 ;
周沧涛 ;
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[5]
偏振旋转分束结构及分束器 [P]. 
杨一诺 ;
刘建国 ;
李金野 ;
陶金铭 ;
李欣桐 ;
李润 .
中国专利 :CN118567025A ,2024-08-30
[6]
基于耦合偏振分束器的硅基集成量子密钥分发芯片结构 [P]. 
龚攀 ;
刘建宏 .
中国专利 :CN109962772A ,2019-07-02
[7]
基于耦合偏振分束器的硅基集成量子密钥分发芯片结构 [P]. 
龚攀 ;
刘建宏 .
中国专利 :CN207543121U ,2018-06-26
[8]
一种硅基集成的高性能偏振分束器 [P]. 
吴文昊 ;
吴新建 ;
王晨晟 ;
齐志强 ;
付奥 .
中国专利 :CN115508947A ,2022-12-23
[9]
一种硅基集成的高性能偏振分束器 [P]. 
吴文昊 ;
吴新建 ;
王晨晟 ;
齐志强 ;
付奥 .
中国专利 :CN115508947B ,2025-06-17
[10]
一种片上集成偏振分束器 [P]. 
武爱民 ;
刘晨阳 ;
王茹雪 ;
王昊 .
中国专利 :CN120103635A ,2025-06-06