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一种基于硅-二氧化硅-氮化硅结构的集成偏振分束器
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110564629.9
申请日
:
2021-05-24
公开(公告)号
:
CN113219587A
公开(公告)日
:
2021-08-06
发明(设计)人
:
王嘉源
申请人
:
申请人地址
:
226000 江苏省南通市崇川区新康路33号9、10幢
IPC主分类号
:
G02B6126
IPC分类号
:
G02B2728
G02B612
代理机构
:
南京经纬专利商标代理有限公司 32200
代理人
:
施昊
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-08-24
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 6/126 申请日:20210524
2021-08-06
公开
公开
共 50 条
[1]
基于垂直耦合结构的硅-氮化硅集成偏振分束器
[P].
王嘉源
论文数:
0
引用数:
0
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王嘉源
.
中国专利
:CN112269224A
,2021-01-26
[2]
基于硅-二氧化硅-氮化硅-二氧化硅-硅的多级非易失性存储器装置及其操作方法
[P].
文卡塔拉曼·普拉巴卡尔
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文卡塔拉曼·普拉巴卡尔
;
克里希纳斯瓦米·拉姆库马尔
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克里希纳斯瓦米·拉姆库马尔
;
维尼特·阿格拉瓦尔
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维尼特·阿格拉瓦尔
;
隆·欣
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隆·欣
;
斯瓦蒂拉哈·萨哈
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斯瓦蒂拉哈·萨哈
;
桑塔努·库马尔·萨曼塔
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桑塔努·库马尔·萨曼塔
;
迈克尔·阿蒙森
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迈克尔·阿蒙森
;
拉温德拉·卡普雷
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拉温德拉·卡普雷
.
中国专利
:CN114730603A
,2022-07-08
[3]
氮化硅-二氧化硅-氮化硅阻挡层的浅沟槽隔离刻蚀方法
[P].
景旭斌
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景旭斌
;
杨斌
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杨斌
;
郭明升
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郭明升
.
中国专利
:CN102420166A
,2012-04-18
[4]
一种基于二氧化硅光波导的偏振分束器
[P].
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机构:
孙小强
;
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机构:
王曼卓
;
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机构:
姚振涛
;
刘庭瑜
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机构:
吉林大学
吉林大学
刘庭瑜
;
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机构:
吴远大
;
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机构:
张大明
.
中国专利
:CN119471907A
,2025-02-18
[5]
基于二氧化硅波导偏振分束器的空芯光子晶体光纤陀螺
[P].
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机构:
佘玄
;
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机构:
申河良
;
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毕然
;
范文
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机构:
浙江大学
浙江大学
范文
;
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机构:
陈侃
;
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机构:
舒晓武
.
中国专利
:CN114739376B
,2025-04-22
[6]
多孔氮化硅-二氧化硅透波材料的制备方法
[P].
殷小玮
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殷小玮
;
张立同
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张立同
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李向明
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李向明
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成来飞
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成来飞
;
陈超
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陈超
.
中国专利
:CN101323526A
,2008-12-17
[7]
基于二氧化硅波导偏振分束器的空芯光子晶体光纤陀螺
[P].
佘玄
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佘玄
;
申河良
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申河良
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毕然
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毕然
;
范文
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范文
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陈侃
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陈侃
;
舒晓武
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舒晓武
.
中国专利
:CN114739376A
,2022-07-12
[8]
结构化二氧化硅包层二氧化硅光纤
[P].
博莱什·J·斯库特尼克
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博莱什·J·斯库特尼克
;
沃尔夫冈·纽伯格
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沃尔夫冈·纽伯格
;
安德烈·B·格里申科
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安德烈·B·格里申科
.
中国专利
:CN115151514A
,2022-10-04
[9]
用于二氧化硅和氮化硅层的可印刷蚀刻介质
[P].
W·斯托库姆
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W·斯托库姆
;
A·库贝尔贝克
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A·库贝尔贝克
;
中野渡旬
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中野渡旬
.
中国专利
:CN101223116A
,2008-07-16
[10]
一种基于多模干涉的氮化硅光偏振分束器及其制备方法
[P].
陈钰杰
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陈钰杰
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刘东宁
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刘东宁
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罗世松
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罗世松
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孔嘉权
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孔嘉权
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张彦峰
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张彦峰
;
余思远
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余思远
.
中国专利
:CN107765441A
,2018-03-06
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