用于二氧化硅和氮化硅层的可印刷蚀刻介质

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680025884.X

申请日：

2006-06-21

公开(公告)号：

CN101223116A

公开(公告)日：

2008-07-16

发明(设计)人：

W·斯托库姆 A·库贝尔贝克中野渡旬

申请人：

申请人地址：

德国达姆施塔特

IPC主分类号：

C03C1500

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

林柏楠;张耀宏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-07-16	公开	公开
2018-07-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C03C 15/00 申请日:20060621 授权公告日:20130313 终止日期:20170621
2013-03-13	授权	授权

共 50 条

[1]

用于二氧化硅和氮化硅层的蚀刻的可印刷介质 [P].

W·斯托库姆 ;

A·屈贝尔贝克 ;

S·克莱因 .

中国专利 :CN101098833A ,2008-01-02

[2]

氮化硅-二氧化硅-氮化硅阻挡层的浅沟槽隔离刻蚀方法 [P].

景旭斌 ;

杨斌 ;

郭明升 .

中国专利 :CN102420166A ,2012-04-18

[3]

用于蚀刻含有二氧化硅的层的方法 [P].

马库斯·M·柯克霍夫 ;

约基恩·哈尼贝克 .

中国专利 :CN1130760C ,1999-04-07

[4]

3D NAND结构中氮化硅的蚀刻和二氧化硅的沉积控制 [P].

德里克·巴塞特 ;

安东尼奥·罗通达龙 ;

伊赫桑·西姆斯 ;

特拉斯·赫德 .

中国专利 :CN112368835A ,2021-02-12

[5]

3D NAND结构中氮化硅的蚀刻和二氧化硅的沉积控制 [P].

德里克·巴塞特 ;

安东尼奥·罗通达龙 ;

伊赫桑·西姆斯 ;

特拉斯·赫德 .

日本专利 :CN112368835B ,2024-09-10

[6]

一种超薄氮化硅/二氧化硅叠层栅介质的制备方法 [P].

林刚 ;

徐秋霞 .

中国专利 :CN1937184A ,2007-03-28

[7]

多孔氮化硅－二氧化硅透波材料的制备方法 [P].

殷小玮 ;

张立同 ;

李向明 ;

成来飞 ;

陈超 .

中国专利 :CN101323526A ,2008-12-17

[8]

用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子装置 [P].

李知虎 ;

沈秀姸 ;

金眞敎 ;

朱英在 .

中国专利 :CN107778876B ,2018-03-09

[9]

用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置 [P].

李殷善 ;

金佑翰 ;

尹熙灿 ;

裴鎭希 ;

黄丙奎 .

中国专利 :CN106147604A ,2016-11-23

[10]

相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅能选择性蚀刻掺杂二氧化硅的蚀刻剂,其使用方法和形成的结构 [P].

K·Y·郭 ;

L·李 ;

G·T·布莱洛克 .

中国专利 :CN1451176A ,2003-10-22

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