用于二氧化硅和氮化硅层的蚀刻的可印刷介质

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580046197.1

申请日：

2005-12-19

公开(公告)号：

CN101098833A

公开(公告)日：

2008-01-02

发明(设计)人：

W·斯托库姆 A·屈贝尔贝克 S·克莱因

申请人：

申请人地址：

德国达姆施塔特

IPC主分类号：

C03C1500

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

刘明海

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-11-26	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101707506337 IPC(主分类):C03C 15/00 专利申请号:2005800461971 申请公布日:20080102
2008-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-01-02	公开	公开

共 50 条

[1]

用于二氧化硅和氮化硅层的可印刷蚀刻介质 [P].

W·斯托库姆 ;

A·库贝尔贝克 ;

中野渡旬 .

中国专利 :CN101223116A ,2008-07-16

[2]

氮化硅-二氧化硅-氮化硅阻挡层的浅沟槽隔离刻蚀方法 [P].

景旭斌 ;

杨斌 ;

郭明升 .

中国专利 :CN102420166A ,2012-04-18

[3]

用于蚀刻含有二氧化硅的层的方法 [P].

马库斯·M·柯克霍夫 ;

约基恩·哈尼贝克 .

中国专利 :CN1130760C ,1999-04-07

[4]

3D NAND结构中氮化硅的蚀刻和二氧化硅的沉积控制 [P].

德里克·巴塞特 ;

安东尼奥·罗通达龙 ;

伊赫桑·西姆斯 ;

特拉斯·赫德 .

中国专利 :CN112368835A ,2021-02-12

[5]

3D NAND结构中氮化硅的蚀刻和二氧化硅的沉积控制 [P].

德里克·巴塞特 ;

安东尼奥·罗通达龙 ;

伊赫桑·西姆斯 ;

特拉斯·赫德 .

日本专利 :CN112368835B ,2024-09-10

[6]

一种超薄氮化硅/二氧化硅叠层栅介质的制备方法 [P].

林刚 ;

徐秋霞 .

中国专利 :CN1937184A ,2007-03-28

[7]

多孔氮化硅－二氧化硅透波材料的制备方法 [P].

殷小玮 ;

张立同 ;

李向明 ;

成来飞 ;

陈超 .

中国专利 :CN101323526A ,2008-12-17

[8]

用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置 [P].

李殷善 ;

金佑翰 ;

尹熙灿 ;

裴鎭希 ;

黄丙奎 .

中国专利 :CN106147604A ,2016-11-23

[9]

用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子装置 [P].

李知虎 ;

沈秀姸 ;

金眞敎 ;

朱英在 .

中国专利 :CN107778876B ,2018-03-09

[10]

用于形成基于二氧化硅的层的组合物和基于二氧化硅的层 [P].

韩权愚 ;

郭泽秀 ;

金补宣 ;

朴银秀 ;

裵镇希 ;

徐珍雨 ;

李汉松 ;

任浣熙 ;

黄丙奎 ;

金相均 ;

赵娟振 .

中国专利 :CN104513613A ,2015-04-15

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