用于蚀刻含有二氧化硅的层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98118803.6

申请日：

1998-08-28

公开(公告)号：

CN1130760C

公开(公告)日：

1999-04-07

发明(设计)人：

马库斯·M·柯克霍夫约基恩·哈尼贝克

申请人：

申请人地址：

联邦德国慕尼黑

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-11-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101017288720 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利号:ZL981188036 申请日:19980828 授权公告日:20031210 终止日期:20090928
2000-07-19	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1999-04-07	公开	公开
2003-12-10	授权	授权

共 50 条

[1]

用于分解二氧化硅层的方法 [P].

D·朗德吕 ;

O·科农丘克 .

中国专利 :CN105051881B ,2015-11-11

[2]

用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置 [P].

李殷善 ;

金佑翰 ;

尹熙灿 ;

裴鎭希 ;

黄丙奎 .

中国专利 :CN106147604A ,2016-11-23

[3]

用于湿法蚀刻二氧化硅的组合物 [P].

林廷训 ;

金大玹 ;

宇昌震 ;

朴成焕 .

中国专利 :CN102443395B ,2012-05-09

[4]

用于施加二氧化硅层的方法 [P].

J.布格拉夫 .

中国专利 :CN106459663B ,2017-02-22

[5]

制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置 [P].

李知虎 ;

卢健培 ;

尹熙灿 ;

裵镇希 ;

任浣熙 .

中国专利 :CN106558483B ,2017-04-05

[6]

用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及其制造方法以及包含二氧化硅层的电子装置 [P].

韩权愚 ;

郭泽秀 ;

卢健培 ;

徐珍雨 ;

沈秀姸 ;

尹熙灿 ;

李知虎 ;

张俊英 ;

黄丙奎 .

中国专利 :CN107129757B ,2017-09-05

[7]

二氧化硅厚层的沉积 [P].

M·埃德蒙兹 ;

W·罗伊尔 ;

C·L·琼斯 ;

D·戈麦斯·桑切斯 ;

K·克鲁克 .

英国专利 :CN117737691A ,2024-03-22

[8]

用于二氧化硅和氮化硅层的可印刷蚀刻介质 [P].

W·斯托库姆 ;

A·库贝尔贝克 ;

中野渡旬 .

中国专利 :CN101223116A ,2008-07-16

[9]

用于二氧化硅和氮化硅层的蚀刻的可印刷介质 [P].

W·斯托库姆 ;

A·屈贝尔贝克 ;

S·克莱因 .

中国专利 :CN101098833A ,2008-01-02

[10]

制造二氧化硅层的方法 [P].

K·布德尔 ;

N·达瓦尔 ;

I·凯尔富尔克 ;

S·R·A·范阿尔德 ;

M·J·德布兰克 ;

C·A·范德尤德 .

中国专利 :CN100474529C ,2007-08-22

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