3D NAND结构中氮化硅的蚀刻和二氧化硅的沉积控制

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980044441.2

申请日：

2019-07-19

公开(公告)号：

CN112368835A

公开(公告)日：

2021-02-12

发明(设计)人：

德里克·巴塞特安东尼奥·罗通达龙伊赫桑·西姆斯特拉斯·赫德

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2711582

IPC分类号：

H01L271157 H01L2711575 H01L29792

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

蔡胜有;苏虹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-12	公开	公开
2021-03-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11582 申请日:20190719

共 50 条

[1]

3D NAND结构中氮化硅的蚀刻和二氧化硅的沉积控制 [P].

德里克·巴塞特 ;

安东尼奥·罗通达龙 ;

伊赫桑·西姆斯 ;

特拉斯·赫德 .

日本专利 :CN112368835B ,2024-09-10

[2]

用于二氧化硅和氮化硅层的可印刷蚀刻介质 [P].

W·斯托库姆 ;

A·库贝尔贝克 ;

中野渡旬 .

中国专利 :CN101223116A ,2008-07-16

[3]

用于二氧化硅和氮化硅层的蚀刻的可印刷介质 [P].

W·斯托库姆 ;

A·屈贝尔贝克 ;

S·克莱因 .

中国专利 :CN101098833A ,2008-01-02

[4]

二氧化硅的沉积 [P].

周芸 ;

R·辛德曼 ;

斯蒂芬·R·伯吉斯 .

中国专利 :CN104630741A ,2015-05-20

[5]

氮化硅-二氧化硅-氮化硅阻挡层的浅沟槽隔离刻蚀方法 [P].

景旭斌 ;

杨斌 ;

郭明升 .

中国专利 :CN102420166A ,2012-04-18

[6]

氮化硅/氧化硅的3D NAND结构片的选择性蚀刻液 [P].

班昌胜 ;

贺兆波 ;

叶瑞 ;

姜飞 ;

张庭 ;

冯帆 ;

冯凯 ;

王书萍 ;

杜程 ;

彭飞 ;

倪高国 .

中国专利 :CN115873599B ,2024-05-17

[7]

多孔氮化硅－二氧化硅透波材料的制备方法 [P].

殷小玮 ;

张立同 ;

李向明 ;

成来飞 ;

陈超 .

中国专利 :CN101323526A ,2008-12-17

[8]

相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅能选择性蚀刻掺杂二氧化硅的蚀刻剂,其使用方法和形成的结构 [P].

K·Y·郭 ;

L·李 ;

G·T·布莱洛克 .

中国专利 :CN1451176A ,2003-10-22

[9]

化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的组合物和方法 [P].

S·J·莱恩 ;

B·L·穆勒 ;

C·于 .

中国专利 :CN100350567C ,2006-02-01

[10]

基于硅-二氧化硅-氮化硅-二氧化硅-硅的多级非易失性存储器装置及其操作方法 [P].

文卡塔拉曼·普拉巴卡尔 ;

克里希纳斯瓦米·拉姆库马尔 ;

维尼特·阿格拉瓦尔 ;

隆·欣 ;

斯瓦蒂拉哈·萨哈 ;

桑塔努·库马尔·萨曼塔 ;

迈克尔·阿蒙森 ;

拉温德拉·卡普雷 .

中国专利 :CN114730603A ,2022-07-08

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