一种超薄氮化硅/二氧化硅叠层栅介质的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510086488.5

申请日：

2005-09-22

公开(公告)号：

CN1937184A

公开(公告)日：

2007-03-28

发明(设计)人：

林刚徐秋霞

申请人：

申请人地址：

100029北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L21314

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

周长兴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-03-28	公开	公开
2007-05-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-05-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101588804286 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2005100864885 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院微电子研究所变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中国科学院微电子研究所登记生效日:20130419
2008-07-02	授权	授权
2019-09-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20050922 授权公告日:20080702 终止日期:20180922

共 50 条

[1]

氮化硅-二氧化硅-氮化硅阻挡层的浅沟槽隔离刻蚀方法 [P].

景旭斌 ;

杨斌 ;

郭明升 .

中国专利 :CN102420166A ,2012-04-18

[2]

用于二氧化硅和氮化硅层的可印刷蚀刻介质 [P].

W·斯托库姆 ;

A·库贝尔贝克 ;

中野渡旬 .

中国专利 :CN101223116A ,2008-07-16

[3]

多孔氮化硅－二氧化硅透波材料的制备方法 [P].

殷小玮 ;

张立同 ;

李向明 ;

成来飞 ;

陈超 .

中国专利 :CN101323526A ,2008-12-17

[4]

用于二氧化硅和氮化硅层的蚀刻的可印刷介质 [P].

W·斯托库姆 ;

A·屈贝尔贝克 ;

S·克莱因 .

中国专利 :CN101098833A ,2008-01-02

[5]

超薄二氧化硅钝化层的制备方法 [P].

黄仕华 ;

黄玉清 ;

芮哲 ;

王佳 .

中国专利 :CN108417482A ,2018-08-17

[6]

二氧化硅介质层的制备方法 [P].

李佳 ;

芦伟立 ;

房玉龙 ;

尹甲运 ;

王波 ;

郭艳敏 ;

张志荣 ;

冯志红 .

中国专利 :CN107633999A ,2018-01-26

[7]

二氧化硅层的制备方法 [P].

吴贤泽 ;

申昌训 ;

朴光承 ;

朴文洙 .

中国专利 :CN111344070A ,2020-06-26

[8]

二氧化硅的制备方法 [P].

陈华伦 ;

陈瑜 ;

熊涛 ;

罗啸 ;

陈雄斌 .

中国专利 :CN101442019A ,2009-05-27

[9]

纳米二氧化硅-纳米氮化硅复合材料及其制备方法 [P].

张国平 ;

秦静 ;

孙蓉 ;

郭慧子 .

中国专利 :CN102931149B ,2013-02-13

[10]

制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置 [P].

李知虎 ;

卢健培 ;

尹熙灿 ;

裵镇希 ;

任浣熙 .

中国专利 :CN106558483B ,2017-04-05

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