一种适用于高压GaN半桥栅驱动系统的电平移位电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110757219.6

申请日：

2021-07-05

公开(公告)号：

CN113472185B

公开(公告)日：

2021-10-01

发明(设计)人：

明鑫刘媛媛宫新策吴之久林治屹王卓张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

IPC主分类号：

H02M108

IPC分类号：

H02M1088

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

孙一峰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H02M 1/08 申请日:20210705
2022-04-22	授权	授权
2021-10-01	公开	公开

共 50 条

[1]

适用于高频GaN栅驱动芯片的电平移位电路 [P].

黄义 ;

易俊杰 ;

余胜奇 ;

罗兴雨 ;

高升 ;

张红升 .

中国专利 :CN118944660B ,2025-04-15

[2]

适用于高频GaN栅驱动芯片的电平移位电路 [P].

黄义 ;

易俊杰 ;

余胜奇 ;

罗兴雨 ;

高升 ;

张红升 .

中国专利 :CN118944660A ,2024-11-12

[3]

一种适用于GaN半桥栅驱动的电平位移电路 [P].

明鑫 ;

秦尧 ;

刘媛媛 ;

孙天一 ;

王卓 ;

张波 .

中国专利 :CN113193865B ,2021-07-30

[4]

用于GaN半桥驱动芯片的高抗噪、低延时电平移位电路 [P].

黄义 ;

易俊杰 ;

余胜奇 ;

罗兴雨 ;

高升 ;

张红升 .

中国专利 :CN118677218A ,2024-09-20

[5]

用于GaN半桥驱动芯片的高抗噪、低延时电平移位电路 [P].

黄义 ;

易俊杰 ;

余胜奇 ;

罗兴雨 ;

高升 ;

张红升 .

中国专利 :CN118677218B ,2025-01-24

[6]

一种适用于GaN驱动芯片的高压电平移位电路 [P].

常红 ;

于文涛 ;

耿镐 ;

张明新 ;

黄少卿 ;

席晓丽 ;

武嘉瑜 ;

肖培磊 ;

宣志斌 .

中国专利 :CN114884502B ,2025-04-15

[7]

一种适用于GaN驱动芯片的高压电平移位电路 [P].

常红 ;

于文涛 ;

耿镐 ;

张明新 ;

黄少卿 ;

席晓丽 ;

武嘉瑜 ;

肖培磊 ;

宣志斌 .

中国专利 :CN114884502A ,2022-08-09

[8]

一种适用于GaN半桥栅驱动系统的死区时间控制电路 [P].

王卓 ;

刘媛媛 ;

张永瑜 ;

叶自凯 ;

明鑫 ;

张波 .

中国专利 :CN113241933B ,2021-08-10

[9]

适用于GaN高速栅驱动电路的电平位移电路 [P].

明鑫 ;

张宣 ;

张志文 ;

范子威 ;

胡黎 ;

潘溯 ;

秦尧 ;

王卓 ;

张波 .

中国专利 :CN109905111B ,2019-06-18

[10]

电平移位电路、驱动电路和半桥电路 [P].

何学宇 .

中国专利 :CN117394844A ,2024-01-12

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