用于GaN半桥驱动芯片的高抗噪、低延时电平移位电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410721980.8

申请日：

2024-06-05

公开(公告)号：

CN118677218B

公开(公告)日：

2025-01-24

发明(设计)人：

黄义易俊杰余胜奇罗兴雨高升张红升

申请人：

重庆邮电大学

申请人地址：

400065 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号

IPC主分类号：

H02M1/08

IPC分类号：

H02M1/32

代理机构：

北京同恒源知识产权代理有限公司 11275

代理人：

方钟苑

法律状态：

公开

国省代码：

山东省青岛市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-20	公开	公开
2025-01-24	授权	授权
2024-10-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H02M 1/08申请日:20240605

共 50 条

[1]

用于GaN半桥驱动芯片的高抗噪、低延时电平移位电路 [P].

黄义 ;

易俊杰 ;

余胜奇 ;

罗兴雨 ;

高升 ;

张红升 .

中国专利 :CN118677218A ,2024-09-20

[2]

适用于高频GaN栅驱动芯片的电平移位电路 [P].

黄义 ;

易俊杰 ;

余胜奇 ;

罗兴雨 ;

高升 ;

张红升 .

中国专利 :CN118944660A ,2024-11-12

[3]

适用于高频GaN栅驱动芯片的电平移位电路 [P].

黄义 ;

易俊杰 ;

余胜奇 ;

罗兴雨 ;

高升 ;

张红升 .

中国专利 :CN118944660B ,2025-04-15

[4]

电平移位电路及半桥驱动芯片 [P].

汪紫薇 ;

杨曼琳 ;

吴昊 ;

杨潇雨 ;

张子启 .

中国专利 :CN118118006A ,2024-05-31

[5]

电平移位电路、驱动电路和半桥电路 [P].

何学宇 .

中国专利 :CN117394844A ,2024-01-12

[6]

一种适用于高压GaN半桥栅驱动系统的电平移位电路 [P].

明鑫 ;

刘媛媛 ;

宫新策 ;

吴之久 ;

林治屹 ;

王卓 ;

张波 .

中国专利 :CN113472185B ,2021-10-01

[7]

高CMTI的低延时电平移位电路 [P].

杨媛 ;

汤梓祥 ;

杨笛 ;

吕佳慧 ;

王洋 ;

杜兴锋 ;

姚轲豪 ;

张冀琛 .

中国专利 :CN121124803A ,2025-12-12

[8]

一种适用于GaN驱动芯片的高压电平移位电路 [P].

常红 ;

于文涛 ;

耿镐 ;

张明新 ;

黄少卿 ;

席晓丽 ;

武嘉瑜 ;

肖培磊 ;

宣志斌 .

中国专利 :CN114884502B ,2025-04-15

[9]

一种适用于GaN驱动芯片的高压电平移位电路 [P].

常红 ;

于文涛 ;

耿镐 ;

张明新 ;

黄少卿 ;

席晓丽 ;

武嘉瑜 ;

肖培磊 ;

宣志斌 .

中国专利 :CN114884502A ,2022-08-09

[10]

提升高压栅驱动芯片抗噪能力的电平移位电路 [P].

董千恒 ;

郑逸飞 ;

林纪栋 ;

王瑞安 ;

孙伟锋 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN118054782A ,2024-05-17

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