半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710310410.X

申请日：

2017-05-05

公开(公告)号：

CN108807177B

公开(公告)日：

2018-11-13

发明(设计)人：

张海洋陈卓凡

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L2908 H01L2910 H01L29423 H01L2978

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣;吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20170505
2021-07-13	授权	授权
2018-11-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN108807514A ,2018-11-13

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

王士京 ;

姚达林 ;

张海洋 .

中国专利 :CN109148272B ,2019-01-04

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN113903803A ,2022-01-07

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

张海洋 ;

纪世良 ;

张冬平 .

中国专利 :CN112086346A ,2020-12-15

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN113903803B ,2024-10-22

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

张海洋 ;

纪世良 ;

张冬平 .

中国专利 :CN112053946A ,2020-12-08

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104701163B ,2015-06-10

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN112864017A ,2021-05-28

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN104752205B ,2015-07-01

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN112864017B ,2024-09-17

← 1 2 3 4 5 →