半导体用膜、半导体用膜的制造方法及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780037298.1

申请日：

2007-10-04

公开(公告)号：

CN101523561B

公开(公告)日：

2009-09-02

发明(设计)人：

平野孝佐佐木晓嗣织田直哉

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21301

IPC分类号：

B32B2700 C09J702 C09J20100

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

菅兴成

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-22	授权	授权
2009-09-02	公开	公开
2013-11-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101542526175 IPC(主分类):H01L 21/301 专利号:ZL2007800372981 申请日:20071004 授权公告日:20110622 终止日期:20121004
2009-10-28	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体用膜和半导体装置的制造方法 [P].

安田浩幸 ;

平野孝 .

中国专利 :CN102473618A ,2012-05-23

[2]

半导体用膜和半导体装置的制造方法 [P].

安田浩幸 ;

平野孝 ;

织田直哉 .

中国专利 :CN102498548A ,2012-06-13

[3]

半导体用膜和半导体装置的制造方法 [P].

安田浩幸 ;

平野孝 .

中国专利 :CN102473619A ,2012-05-23

[4]

半导体用粘接膜、以及半导体芯片、半导体装置的制造方法 [P].

畠山惠一 ;

中村祐树 .

中国专利 :CN102361016A ,2012-02-22

[5]

半导体用粘接膜、以及半导体芯片、半导体装置的制造方法 [P].

畠山惠一 ;

中村祐树 .

中国专利 :CN101821833B ,2010-09-01

[6]

半导体用膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

平野孝 .

中国专利 :CN101939825A ,2011-01-05

[7]

半导体用膜组合物、半导体用膜组合物的制造方法、半导体用构件的制造方法、半导体用加工材料的制造方法以及半导体装置 [P].

茅场靖刚 ;

田中博文 ;

井上浩二 .

中国专利 :CN108352320A ,2018-07-31

[8]

半导体用膜组合物、半导体用膜组合物的制造方法、半导体用构件的制造方法、半导体用加工材料的制造方法以及半导体装置 [P].

茅场靖刚 ;

田中博文 ;

和知浩子 ;

小野升子 .

中国专利 :CN108292604A ,2018-07-17

[9]

半导体用粘合膜 [P].

申东天 ;

姜炳彦 ;

成太炫 ;

金载勳 ;

魏京台 ;

徐准模 ;

文赫洙 .

中国专利 :CN101180715A ,2008-05-14

[10]

半导体用粘合膜及半导体用粘合片 [P].

田中佑耶 ;

布施启示 .

中国专利 :CN111373516A ,2020-07-03

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