半导体用膜和半导体装置的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201080031084.5
申请日
2010-05-31
公开(公告)号
CN102473618A
公开(公告)日
2012-05-23
发明(设计)人
安田浩幸 平野孝
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L21301
IPC分类号
C09J500 C09J702 C09J20100
代理机构
隆天国际知识产权代理有限公司 72003
代理人
崔香丹;洪燕
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体用膜和半导体装置的制造方法 [P]. 
安田浩幸 ;
平野孝 ;
织田直哉 .
中国专利 :CN102498548A ,2012-06-13
[2]
半导体用膜和半导体装置的制造方法 [P]. 
安田浩幸 ;
平野孝 .
中国专利 :CN102473619A ,2012-05-23
[3]
半导体用膜、半导体用膜的制造方法及半导体装置 [P]. 
平野孝 ;
佐佐木晓嗣 ;
织田直哉 .
中国专利 :CN101523561B ,2009-09-02
[4]
半导体用膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P]. 
平野孝 .
中国专利 :CN101939825A ,2011-01-05
[5]
半导体用粘接膜、以及半导体芯片、半导体装置的制造方法 [P]. 
畠山惠一 ;
中村祐树 .
中国专利 :CN102361016A ,2012-02-22
[6]
半导体用粘接膜、以及半导体芯片、半导体装置的制造方法 [P]. 
畠山惠一 ;
中村祐树 .
中国专利 :CN101821833B ,2010-09-01
[7]
半导体用粘接剂、半导体装置以及制造该半导体装置的方法 [P]. 
本田一尊 ;
茶花幸一 ;
小野敬司 ;
永井朗 .
中国专利 :CN108352333B ,2018-07-31
[8]
半导体用膜组合物、半导体用膜组合物的制造方法、半导体用构件的制造方法、半导体用加工材料的制造方法以及半导体装置 [P]. 
茅场靖刚 ;
田中博文 ;
井上浩二 .
中国专利 :CN108352320A ,2018-07-31
[9]
半导体用膜组合物、半导体用膜组合物的制造方法、半导体用构件的制造方法、半导体用加工材料的制造方法以及半导体装置 [P]. 
茅场靖刚 ;
田中博文 ;
和知浩子 ;
小野升子 .
中国专利 :CN108292604A ,2018-07-17
[10]
半导体装置的制造方法和半导体装置 [P]. 
森弘就 .
中国专利 :CN106796893B ,2017-05-31