选择性的存储器单元编程和擦除

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201080036398.4
申请日
2010-08-17
公开(公告)号
CN102763166A
公开(公告)日
2012-10-31
发明(设计)人
董颖达 郭天健 格里特·扬·赫明克
申请人
申请人地址
美国德克萨斯州
IPC主分类号
G11C1616
IPC分类号
G11C1610 G11C1634
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
李春晖;王娜丽
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
存储器的选择性抑制 [P]. 
王虹美 ;
N·N·加杰拉 ;
崔铭栋 ;
F·佩里兹 .
中国专利 :CN114141297A ,2022-03-04
[2]
存储器的选择性抑制 [P]. 
王虹美 ;
N·N·加杰拉 ;
崔铭栋 ;
F·佩里兹 .
美国专利 :CN114141297B ,2025-08-15
[3]
部分经编程存储器单元的擦除 [P]. 
F·G·特里维迪 ;
M·曹 .
中国专利 :CN115512749A ,2022-12-23
[4]
编程并选择性地擦除非易失性存储器 [P]. 
杰弗里·E·卢茨 ;
李艳 .
中国专利 :CN102138182B ,2011-07-27
[5]
对非易失性存储器的选择性擦除操作 [P]. 
杰弗里.W.卢茨 ;
李艳 .
中国专利 :CN102138183A ,2011-07-27
[6]
存储器单元的选择性上电清除 [P]. 
沈震雷 ;
谢廷俊 ;
周振明 .
美国专利 :CN117751345A ,2024-03-22
[7]
至初级开关以编程存储器单元的电源电压的选择性过驱动 [P]. 
M·皮卡尔迪 .
中国专利 :CN114582403A ,2022-06-03
[8]
存储器单元、存储器阵列和对存储器单元进行编程的方法 [P]. 
纳德尔·阿基勒 ;
米希尔·范杜雷恩 .
中国专利 :CN101652816A ,2010-02-17
[9]
采用单独存储器单元读取、编程和擦除的三栅极闪存存储器单元阵列 [P]. 
H.V.陈 ;
V.蒂瓦里 ;
N.杜 .
中国专利 :CN109328385A ,2019-02-12
[10]
编程和擦除存储器结构 [P]. 
F·卡恩 ;
N·W·罗布森 ;
桐畑外志昭 ;
D·莫伊 ;
D·L·阿南德 .
美国专利 :CN110782939B ,2024-04-12