存储器的选择性抑制

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110993542.3

申请日：

2021-08-27

公开(公告)号：

CN114141297B

公开(公告)日：

2025-08-15

发明(设计)人：

王虹美 N·N·加杰拉崔铭栋 F·佩里兹

申请人：

美光科技公司

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

G11C29/08

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-15	授权	授权

共 50 条

[1]

存储器的选择性抑制 [P].

王虹美 ;

N·N·加杰拉 ;

崔铭栋 ;

F·佩里兹 .

中国专利 :CN114141297A ,2022-03-04

[2]

选择性的存储器单元编程和擦除 [P].

董颖达 ;

郭天健 ;

格里特·扬·赫明克 .

中国专利 :CN102763166A ,2012-10-31

[3]

存储器设备的选择性刷新 [P].

E·伊派克 ;

H·奥马尔 ;

B·雷赫利克 ;

S·R·库安尔 ;

B·达什蒂波尔 ;

M·H·罗 ;

J·格玛 ;

M·西弗森 ;

G·帕特西拉拉斯 ;

A·E·特纳 .

美国专利 :CN119032349A ,2024-11-26

[4]

存储器装置中的选择性压缩电路系统 [P].

L·M·何 .

美国专利 :CN112789679B ,2024-05-14

[5]

存储器装置中的选择性压缩电路系统 [P].

L·M·何 .

中国专利 :CN112789679A ,2021-05-11

[6]

存储器单元的选择性上电清除 [P].

沈震雷 ;

谢廷俊 ;

周振明 .

美国专利 :CN117751345A ,2024-03-22

[7]

非易失性存储器中的编程抑制方案的选择性应用 [P].

万钧 ;

杰弗里·卢策 ;

东谷正昭 ;

格里特·简·赫民克 ;

大和田健 ;

陈健 ;

杰弗里·S·冈韦尔 .

中国专利 :CN101194323A ,2008-06-04

[8]

使用选择性预充电的存储器 [P].

G·R·莫汉·拉奥 .

中国专利 :CN103000217A ,2013-03-27

[9]

使用选择性跳过的验证脉冲进行存储器编程以用于性能改进 [P].

王彦杰 ;

梁癸容 ;

村井翔太 ;

车潇雨 .

中国专利 :CN115527588A ,2022-12-27

[10]

可选择性操作的存储器装置 [P].

V·S·拉梅什 ;

A·波特菲尔德 .

美国专利 :CN119049524A ,2024-11-29

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