高Q LTCC介电组合物和器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980057918.0

申请日：

2019-07-02

公开(公告)号：

CN112823144B

公开(公告)日：

2021-05-18

发明(设计)人：

彼得·马利小沃尔特·J·赛姆斯

申请人：

申请人地址：

美国俄亥俄州

IPC主分类号：

C03C814

IPC分类号：

C04B3501 C04B3514 C04B3564 H01G412

代理机构：

北京安信方达知识产权代理有限公司 11262

代理人：

张瑞;杨明钊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C03C 8/14 申请日:20190702
2021-05-18	公开	公开
2023-01-24	授权	授权

共 50 条

[1]

具有高Q值的LTCC介电组合物和装置 [P].

P·马利 .

中国专利 :CN113242844A ,2021-08-10

[2]

高介电常数LTCC介电组合物和装置 [P].

小沃尔特·J·赛姆斯 .

中国专利 :CN107848891B ,2018-03-27

[3]

高介电常数LTCC介电组合物和装置 [P].

小沃尔特·J·赛姆斯 .

中国专利 :CN107848872A ,2018-03-27

[4]

用于高频应用的M7 LTCC-银系统和相关介电组合物 [P].

E·S·托梅 ;

P·马利 ;

C·马 ;

J·马洛尼 ;

Y·杨 ;

O·W·布朗 ;

S·斯里达兰 .

中国专利 :CN113498406A ,2021-10-12

[5]

低K值和中K值LTCC介电组合物及装置 [P].

小沃尔特·J·赛姆斯 .

中国专利 :CN107250081B ,2017-10-13

[6]

介电组合物 [P].

吴贻良 ;

Y·王 ;

柳平 ;

胡南星 ;

A·维格勒斯沃斯 .

中国专利 :CN102487125B ,2012-06-06

[7]

介电组合物 [P].

约瑟夫·理查德·雷利克 .

中国专利 :CN86101910A ,1986-10-01

[8]

介电陶瓷组合物和电子器件 [P].

堀江优作 ;

中野幸惠 ;

增宫薰里 .

中国专利 :CN1250483C ,2003-07-30

[9]

介电陶瓷组合物和电子器件 [P].

渡边康夫 ;

佐藤阳 .

中国专利 :CN1447780A ,2003-10-08

[10]

介电组合物、介电材料和多层电子组件 [P].

朴宰成 ;

金亨旭 ;

权亨纯 ;

金锺翰 ;

金正烈 .

中国专利 :CN112542317A ,2021-03-23

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