高介电常数LTCC介电组合物和装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680028113.X

申请日：

2016-06-29

公开(公告)号：

CN107848872A

公开(公告)日：

2018-03-27

发明(设计)人：

小沃尔特·J·赛姆斯

申请人：

申请人地址：

美国俄亥俄州

IPC主分类号：

C03C416

IPC分类号：

C03C3062 C03B1901

代理机构：

北京万慧达知识产权代理有限公司 11111

代理人：

王蕊;李轶

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C03C 4/16 申请日:20160629
2020-11-06	授权	授权
2018-03-27	公开	公开

共 50 条

[1]

高介电常数LTCC介电组合物和装置 [P].

小沃尔特·J·赛姆斯 .

中国专利 :CN107848891B ,2018-03-27

[2]

高Q LTCC介电组合物和器件 [P].

彼得·马利 ;

小沃尔特·J·赛姆斯 .

中国专利 :CN112823144B ,2021-05-18

[3]

具有高Q值的LTCC介电组合物和装置 [P].

P·马利 .

中国专利 :CN113242844A ,2021-08-10

[4]

具有精细晶粒尺寸的高介电常数介电组合物 [P].

S·A·布鲁诺 ;

I·伯恩 .

中国专利 :CN1076302A ,1993-09-15

[5]

高介电常数介电陶瓷组合物及其制备方法 [P].

佐藤正美 ;

田中均 .

中国专利 :CN1195867A ,1998-10-14

[6]

高介电常数介电材料的稳定化方法 [P].

克里斯托弗·奥尔森 ;

普拉文·K·纳万克尔 ;

施雷斯·S·卡尔 ;

兰德海尔·撒克 ;

尚克尔·姆萨克瑞斯南 ;

菲利普·A·克劳斯 .

中国专利 :CN1934685A ,2007-03-21

[7]

具有高介电常数和低介电损耗的聚合物组合物 [P].

焦云峰 .

中国专利 :CN111320868A ,2020-06-23

[8]

具有高介电常数和低介电损耗的聚合物组合物 [P].

焦云峰 .

中国专利 :CN113614163A ,2021-11-05

[9]

高介电常数和低介电耗散的聚合物组合物 [P].

朱弼忠 .

中国专利 :CN110612322A ,2019-12-24

[10]

用于高频应用的M7 LTCC-银系统和相关介电组合物 [P].

E·S·托梅 ;

P·马利 ;

C·马 ;

J·马洛尼 ;

Y·杨 ;

O·W·布朗 ;

S·斯里达兰 .

中国专利 :CN113498406A ,2021-10-12

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