具有精细晶粒尺寸的高介电常数介电组合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN92102078.3

申请日：

1992-03-05

公开(公告)号：

CN1076302A

公开(公告)日：

1993-09-15

发明(设计)人：

S·A·布鲁诺 I·伯恩

申请人：

申请人地址：

美国特拉华州

IPC主分类号：

H01B312

IPC分类号：

H01B310 C04B3546 H01G412

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

齐曾度

法律状态：

专利权的终止(未缴年费专利权终止)

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-05-07	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2002-05-15	授权	授权
1993-09-15	公开	公开
1995-10-25	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

具有精细晶粒尺寸的高K介电组合物 [P].

S·A·布鲁诺 ;

I·伯恩 .

中国专利 :CN1392570A ,2003-01-22

[2]

高介电常数介电陶瓷组合物及其制备方法 [P].

佐藤正美 ;

田中均 .

中国专利 :CN1195867A ,1998-10-14

[3]

高介电常数LTCC介电组合物和装置 [P].

小沃尔特·J·赛姆斯 .

中国专利 :CN107848872A ,2018-03-27

[4]

高介电常数LTCC介电组合物和装置 [P].

小沃尔特·J·赛姆斯 .

中国专利 :CN107848891B ,2018-03-27

[5]

具有高介电常数和低介电损耗的聚合物组合物 [P].

焦云峰 .

中国专利 :CN111320868A ,2020-06-23

[6]

具有高介电常数和低介电损耗的聚合物组合物 [P].

焦云峰 .

中国专利 :CN113614163A ,2021-11-05

[7]

高介电常数低介电损耗膜 [P].

毛立钧 ;

陈家华 .

中国专利 :CN1050462A ,1991-04-03

[8]

具有高介电常数介电层的栅极结构 [P].

邱显光 ;

彭宝庆 ;

陶宏远 .

中国专利 :CN2713646Y ,2005-07-27

[9]

具有高介电常数的绝缘陶瓷组合物 [P].

朱四海 ;

丹尼尔·C·罗斯 .

中国专利 :CN88102245A ,1988-11-23

[10]

高介电常数介电陶瓷组合物及电子部件 [P].

佐佐木则夫 ;

渡边义春 .

中国专利 :CN1219724C ,2004-03-24

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