表面等离激元增强的氧化镓紫外探测器及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711005864.2

申请日：

2017-10-25

公开(公告)号：

CN109713058A

公开(公告)日：

2019-05-03

发明(设计)人：

崔书娟梅增霞梁会力张永晖霍文星杜小龙

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村南三街8号

IPC主分类号：

H01L310304

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280

代理人：

郭广迅;赵岩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-03	公开	公开
2021-10-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 31/0304 申请公布日:20190503
2019-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0304 申请日:20171025

共 50 条

[1]

一种等离激元增强的MoSe2光电探测器及其制备方法和应用 [P].

吴子峤 ;

董华锋 ;

薛建材 ;

文敏儒 ;

吴福根 .

中国专利 :CN114551613A ,2022-05-27

[2]

一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器及其制备方法和应用 [P].

严子粮 ;

董华锋 ;

吴福根 ;

薛建材 ;

吴子峤 .

中国专利 :CN114927584A ,2022-08-19

[3]

浮空结构氧化镓紫外探测器及其制备方法和应用 [P].

李晓茜 ;

吴志帆 ;

黄舒琪 ;

方慈浙 ;

韩根全 .

中国专利 :CN118588784B ,2024-11-08

[4]

浮空结构氧化镓紫外探测器及其制备方法和应用 [P].

李晓茜 ;

吴志帆 ;

黄舒琪 ;

方慈浙 ;

韩根全 .

中国专利 :CN118588784A ,2024-09-03

[5]

基于表面等离激元增强Ga2O3薄膜的紫外火焰探测器及其制备方法 [P].

金旺康 .

中国专利 :CN105806487B ,2016-07-27

[6]

一种表面等离激元增强的超导单光子探测器及其制备方法 [P].

金飚兵 ;

郏涛 ;

康琳 ;

吴培亨 .

中国专利 :CN103872155A ,2014-06-18

[7]

一种表面等离激元增强二维材料光电探测器及其制备方法 [P].

蒋若梅 ;

张伟 ;

陈剑 ;

徐强 ;

谢修敏 ;

陈庆敏 ;

黄帅 ;

谭杨 ;

杨瑞雨 ;

宋海智 .

中国专利 :CN117832317A ,2024-04-05

[8]

基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器及制备方法 [P].

高娜 ;

朱啟芬 ;

冯向 ;

黄凯 ;

康俊勇 .

中国专利 :CN110364584A ,2019-10-22

[9]

一种片上集成的等离激元光电探测器及其制备方法和应用 [P].

管志强 ;

李湘黔 ;

徐红星 .

中国专利 :CN116825859B ,2025-12-19

[10]

一种基于MIM结构的表面等离激元增强的光电探测器 [P].

李孝峰 ;

吴凯 ;

吴绍龙 ;

杨阵海 ;

李珂 .

中国专利 :CN104064620A ,2014-09-24

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