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制备用于半导体结构的支撑件的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201880030608.5
申请日：
2018-06-27
公开(公告)号：
CN110612597A
公开(公告)日：
2019-12-24
发明(设计)人：
金勇必
申请人：
申请人地址：
法国伯尔宁
IPC主分类号：
H01L2102
IPC分类号：
C23C1644
代理机构：
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人：
王万影;王小东
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-05-15 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180627
2019-12-24 公开 公开
共 50 条
[1]
用于半导体结构的支撑件 [P]. 
帕特里克·雷诺 ;
M·波卡特 ;
佛雷德里克·阿利伯特 ;
克里斯泰勒·维蒂佐 ;
L·卡佩罗 ;
I·伯特兰 .
中国专利 :CN110199375A ,2019-09-03
[2]
用于半导体结构的支撑件 [P]. 
克里斯托夫·菲盖 ;
O·科农丘克 ;
K·阿拉萨德 ;
G·费雷罗 ;
V·罗列尔 ;
克里斯泰勒·维蒂佐 ;
T·叶霍扬 .
中国专利 :CN109155276B ,2019-01-04
[3]
用于制备半导体结构的方法和半导体结构 [P]. 
张丽旸 ;
程凯 .
中国专利 :CN117691004A ,2024-03-12
[4]
用于半导体结构的制备方法以及半导体结构 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN120443136A ,2025-08-08
[5]
半导体结构的制备方法、半导体结构 [P]. 
陶磊 ;
刘文彬 .
中国专利 :CN119153410A ,2024-12-17
[6]
半导体结构的制备方法、半导体结构 [P]. 
陶磊 ;
刘文彬 .
中国专利 :CN119153410B ,2025-02-28
[7]
半导体结构的制备方法、半导体结构 [P]. 
陶磊 ;
刘文彬 .
中国专利 :CN119153411B ,2025-02-28
[8]
半导体结构的制备方法、半导体结构 [P]. 
陶磊 ;
刘文彬 .
中国专利 :CN119153411A ,2024-12-17
[9]
半导体结构的制备方法、半导体结构 [P]. 
吴润平 ;
朱磊 .
中国专利 :CN118400991A ,2024-07-26
[10]
半导体结构的制备方法、半导体结构、半导体器件 [P]. 
黄厚恒 ;
宋富冉 ;
周儒领 .
中国专利 :CN120076391A ,2025-05-30
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