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贴合式SOI晶圆的制造方法及贴合式SOI晶圆
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201580020540.9
申请日
:
2015-03-05
公开(公告)号
:
CN106233426B
公开(公告)日
:
2016-12-14
发明(设计)人
:
目黑贤二
若林大士
小林德弘
申请人
:
申请人地址
:
日本东京都千代田区大手町二丁目2番1号
IPC主分类号
:
H01L2102
IPC分类号
:
H01L2712
代理机构
:
北京京万通知识产权代理有限公司 11440
代理人
:
许天易
法律状态
:
授权
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-07-12
授权
授权
2016-12-14
公开
公开
2017-01-11
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101696038422 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2015800205409 申请日:20150305
共 50 条
[1]
贴合式SOI晶圆的制造方法
[P].
若林大士
论文数:
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0
若林大士
;
目黑贤二
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目黑贤二
;
中野正刚
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中野正刚
;
八木真一郎
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八木真一郎
;
吉田知佐
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吉田知佐
.
中国专利
:CN106233425A
,2016-12-14
[2]
贴合式SOI晶圆的制造方法
[P].
小林德弘
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小林德弘
;
石川修
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石川修
;
目黑贤二
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目黑贤二
;
若林大士
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若林大士
;
大西裕之
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大西裕之
.
中国专利
:CN107533952A
,2018-01-02
[3]
贴合式SOI晶圆的制造方法
[P].
小林徳弘
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小林徳弘
;
阿贺浩司
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阿贺浩司
.
中国专利
:CN109314040B
,2019-02-05
[4]
贴合SOI晶圆的制造方法及贴合SOI晶圆
[P].
今井俊和
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今井俊和
;
吉田和彦
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吉田和彦
;
二井谷美保
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二井谷美保
;
若林大士
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若林大士
;
石川修
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石川修
.
中国专利
:CN112262455A
,2021-01-22
[5]
贴合SOI晶圆的制造方法及贴合SOI晶圆
[P].
今井俊和
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机构:
信越半导体株式会社
信越半导体株式会社
今井俊和
;
吉田和彦
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机构:
信越半导体株式会社
信越半导体株式会社
吉田和彦
;
二井谷美保
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机构:
信越半导体株式会社
信越半导体株式会社
二井谷美保
;
若林大士
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机构:
信越半导体株式会社
信越半导体株式会社
若林大士
;
石川修
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机构:
信越半导体株式会社
信越半导体株式会社
石川修
.
日本专利
:CN112262455B
,2024-08-16
[6]
贴合式SOI晶圆的制造方法
[P].
石塚彻
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石塚彻
;
小林德弘
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小林德弘
;
中野正刚
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中野正刚
.
中国专利
:CN107112204A
,2017-08-29
[7]
贴合式SOI晶圆的制造方法
[P].
若林大士
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若林大士
;
目黑贤二
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目黑贤二
;
二井谷美保
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二井谷美保
.
中国专利
:CN109075028A
,2018-12-21
[8]
贴合式SOI晶圆的制造方法
[P].
石冢彻
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石冢彻
;
中野正刚
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中野正刚
.
中国专利
:CN108028170A
,2018-05-11
[9]
贴合式SOI晶圆的制造方法
[P].
石塚彻
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石塚彻
;
滨节哉
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滨节哉
.
中国专利
:CN109690733A
,2019-04-26
[10]
贴合式SOI晶圆的制造方法
[P].
阿贺浩司
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阿贺浩司
;
小林德弘
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小林德弘
.
中国专利
:CN106062923A
,2016-10-26
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