Si掺杂GaN稀磁半导体粉体的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310165324.6

申请日：

2013-05-08

公开(公告)号：

CN103204681A

公开(公告)日：

2013-07-17

发明(设计)人：

简基康阿瓦拜克力.肉苏里吴荣李锦孙言飞

申请人：

申请人地址：

830046 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市天山区胜利路14号

IPC主分类号：

C04B3558

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101744015418 IPC(主分类):C04B 35/58 专利申请号:2013101653246 申请公布日:20130717
2013-07-17	公开	公开

共 50 条

[1]

制备GaN基稀磁半导体材料的方法 [P].

张国义 ;

陈志涛 ;

苏月永 ;

杨志坚 ;

杨学林 ;

沈波 .

中国专利 :CN1822320A ,2006-08-23

[2]

Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法 [P].

赵婧 ;

刘喆 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102351229A ,2012-02-15

[3]

Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法 [P].

赵婧 ;

刘喆 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102351236A ,2012-02-15

[4]

一种微米球状AlN稀磁半导体粉体的制备方法 [P].

任银拴 .

中国专利 :CN107381516B ,2017-11-24

[5]

一种Si掺杂AlN稀磁半导体薄膜的制备方法 [P].

吴荣 ;

任银拴 ;

简基康 ;

潘东 ;

娄阳 ;

蒋小康 ;

李锦 ;

孙言飞 ;

任会会 .

中国专利 :CN102352485A ,2012-02-15

[6]

一种Ag掺杂GaN粉体的制备方法 [P].

孙长龙 ;

孙言飞 .

中国专利 :CN103879976A ,2014-06-25

[7]

采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 [P].

孙莉莉 ;

闫发旺 ;

张会肖 ;

王军喜 ;

王国宏 ;

曾一平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN101899706A ,2010-12-01

[8]

制备Mn掺杂InP：Zn基稀磁半导体的方法 [P].

杨冠东 ;

朱峰 ;

李京波 .

中国专利 :CN102108483A ,2011-06-29

[9]

稀磁半导体及其制备方法 [P].

韩爱文 .

中国专利 :CN108190941A ,2018-06-22

[10]

一种Fe掺杂ZnO室温稀磁半导体材料的制备方法 [P].

袁松柳 ;

王永强 ;

田召明 ;

何惊华 .

中国专利 :CN101224904A ,2008-07-23

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