一种氢氟酸刻蚀硅片的装置

被引：0

申请号：

CN202222408167.4

申请日：

2022-09-08

公开(公告)号：

CN218160284U

公开(公告)日：

2022-12-27

发明(设计)人：

夏新中潘明翠孟庆超郎芳王红芳翟金叶

申请人：

申请人地址：

071051 河北省保定市朝阳北大街3399号5号厂房227室

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

河北国维致远知识产权代理有限公司 13137

代理人：

樊凤竹

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-27	授权	授权

共 50 条

[1]

一种氢氟酸刻蚀硅片的装置 [P].

夏新中 ;

潘明翠 ;

翟金叶 ;

孟庆超 ;

王红芳 ;

郎芳 .

中国专利 :CN218385247U ,2023-01-24

[2]

一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置 [P].

夏新中 ;

潘明翠 ;

孟庆超 ;

郎芳 ;

王红芳 ;

翟金叶 .

中国专利 :CN115241330B ,2022-12-27

[3]

一种氢氟酸蒸汽刻蚀硅反应装置 [P].

彭奎庆 ;

胡雅 .

中国专利 :CN205329160U ,2016-06-22

[4]

一种硅片的刻蚀装置 [P].

龚雪玲 ;

陈宇 .

中国专利 :CN214672537U ,2021-11-09

[5]

一种便于控制的氢氟酸蒸汽刻蚀硅装置 [P].

陈训海 .

中国专利 :CN209537632U ,2019-10-25

[6]

一种硅片烘干装置及硅片刻蚀机 [P].

杨金鑫 ;

谢凤兰 ;

唐正海 ;

刘燕 .

中国专利 :CN210516685U ,2020-05-12

[7]

用于硅片清洗的氢氟酸补液装置 [P].

郭贵东 ;

陈光 ;

吴磊 .

中国专利 :CN202192045U ,2012-04-18

[8]

一种硅片单面刻蚀装置 [P].

何达能 ;

方结彬 ;

秦崇德 ;

陈刚 .

中国专利 :CN207651451U ,2018-07-24

[9]

一种硅片刻蚀装置 [P].

程瑜 ;

李立腾 ;

李坚毅 .

中国专利 :CN221812085U ,2024-10-08

[10]

一种硅片的刻蚀设备 [P].

王镇 ;

颜大安 .

中国专利 :CN207009462U ,2018-02-13

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